美半導(dǎo)體設(shè)備股下挫!Caris:三星支出傳砍半拖累
時(shí)間:2012-09-26 02:38:14
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三星
半導(dǎo)體設(shè)備
NANDFLASH
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[導(dǎo)讀]barron`.com19日?qǐng)?bào)導(dǎo),Caris&Co.證券分析師BenPang發(fā)表研究報(bào)告指出,市場(chǎng)傳出三星電子(SamsungElectronicsCo.)可能會(huì)將明(2013)年資本支出預(yù)算砍半,若報(bào)導(dǎo)屬實(shí),那么三星明年的資本支出可能約達(dá)65億美元,這可能會(huì)
barron`.com19日?qǐng)?bào)導(dǎo),Caris&Co.證券分析師BenPang發(fā)表研究報(bào)告指出,市場(chǎng)傳出三星電子(SamsungElectronicsCo.)可能會(huì)將明(2013)年資本支出預(yù)算砍半,若報(bào)導(dǎo)屬實(shí),那么三星明年的資本支出可能約達(dá)65億美元,這可能會(huì)對(duì)該集團(tuán)造成沉重影響,且沒(méi)有一家半導(dǎo)體設(shè)備廠能夠幸免于難。
Pang表示,三星的DRAM、NAND型快閃記憶體(NANDflash)產(chǎn)能過(guò)剩,調(diào)降資本支出原在預(yù)期之中。不過(guò),三星大砍支出可能也意味著,該公司的晶圓代工與NANDFlash業(yè)務(wù)成長(zhǎng)前景將因?yàn)楹吞O果之間的侵權(quán)官司而受到?jīng)_擊。
美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備類股19日走勢(shì)疲弱。晶圓光學(xué)檢測(cè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商是美商科磊(KLA-Tencor)下挫4.76%,收48.43美元,創(chuàng)7月24日以來(lái)收盤新低。半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(AppliedMaterialsInc.)跌1.79%,收11.50美元,創(chuàng)8月30日以來(lái)收盤新低。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商Teradyne,Inc.跌1.12%,收14.98美元,創(chuàng)8月6日以來(lái)收盤新低。
道瓊社引述南韓《京鄉(xiāng)新聞(KyunghyangShinmun)》9月19日?qǐng)?bào)導(dǎo),三星計(jì)畫在明年將半導(dǎo)體事業(yè)投資額砍半,主要是受到需求趨緩、價(jià)格下滑的影響。該篇報(bào)導(dǎo)引述一名三星高層指出,市況并不好,且三星今年的投資額已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。根據(jù)報(bào)導(dǎo),三星今年在半導(dǎo)體部門已投入了14兆-15兆韓圜(125億-134億美元)。
Pang表示,三星的DRAM、NAND型快閃記憶體(NANDflash)產(chǎn)能過(guò)剩,調(diào)降資本支出原在預(yù)期之中。不過(guò),三星大砍支出可能也意味著,該公司的晶圓代工與NANDFlash業(yè)務(wù)成長(zhǎng)前景將因?yàn)楹吞O果之間的侵權(quán)官司而受到?jīng)_擊。
美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備類股19日走勢(shì)疲弱。晶圓光學(xué)檢測(cè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商是美商科磊(KLA-Tencor)下挫4.76%,收48.43美元,創(chuàng)7月24日以來(lái)收盤新低。半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(AppliedMaterialsInc.)跌1.79%,收11.50美元,創(chuàng)8月30日以來(lái)收盤新低。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商Teradyne,Inc.跌1.12%,收14.98美元,創(chuàng)8月6日以來(lái)收盤新低。
道瓊社引述南韓《京鄉(xiāng)新聞(KyunghyangShinmun)》9月19日?qǐng)?bào)導(dǎo),三星計(jì)畫在明年將半導(dǎo)體事業(yè)投資額砍半,主要是受到需求趨緩、價(jià)格下滑的影響。該篇報(bào)導(dǎo)引述一名三星高層指出,市況并不好,且三星今年的投資額已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。根據(jù)報(bào)導(dǎo),三星今年在半導(dǎo)體部門已投入了14兆-15兆韓圜(125億-134億美元)。





