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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】美國威世通用半導(dǎo)體(Vishay Intertechnology)是一家以被動元件(被動元件)和分立器件為兩大支柱產(chǎn)品的電子部件企業(yè)。該公司的銷售額龐大,2012年已經(jīng)達到22.3億美元。其中,被動元件占48%,分立器件占52%。20

【導(dǎo)讀】美國威世通用半導(dǎo)體(Vishay Intertechnology)是一家以被動元件(被動元件)和分立器件為兩大支柱產(chǎn)品的電子部件企業(yè)。該公司的銷售額龐大,2012年已經(jīng)達到22.3億美元。其中,被動元件占48%,分立器件占52%。2013年,銷售額的增長勢頭更加旺盛。至少在2000年以后,該公司都一直保持著穩(wěn)定的盈利。

摘要:  美國威世通用半導(dǎo)體(Vishay Intertechnology)是一家以被動元件(被動元件)和分立器件為兩大支柱產(chǎn)品的電子部件企業(yè)。該公司的銷售額龐大,2012年已經(jīng)達到22.3億美元。其中,被動元件占48%,分立器件占52%。2013年,銷售額的增長勢頭更加旺盛。至少在2000年以后,該公司都一直保持著穩(wěn)定的盈利。

關(guān)鍵字:  被動元件,分立器件,智能手機

不可否認,在電子部件領(lǐng)域,與組合了MCU和存儲器之類的集成電路(IC)相比,被動元件和分立器件并不起眼。雖不起眼,但威世卻依然創(chuàng)造出了巨大的銷售額和穩(wěn)定的利潤,該公司究竟采取的是怎樣的戰(zhàn)略?在“TECHNO-FRONTIER 2013”的現(xiàn)場,該公司的日本法人——威世日本的代表董事社長小澤政治就此接受了記者采訪。(采訪人:山下勝己)

問:這幾年貴公司收購企業(yè)的數(shù)量少了很多。在戰(zhàn)略上是否做了調(diào)整?

小澤:其實收購企業(yè)的數(shù)量并沒有減少。我們在2011年收購了美國Huntington Electric的電阻器部門,在2012年收購了經(jīng)營工業(yè)設(shè)備用電感器的美國HiRel Systems,在2013年收購了經(jīng)營工業(yè)設(shè)備用電阻器的法國MCB Industrie。

但與以前相比,收購對象的企業(yè)規(guī)模小了。這或許是外界覺得收購數(shù)量減少的原因。而收購企業(yè)的規(guī)模之所以變小,是因為戰(zhàn)略發(fā)生了變化。在2000年代前期,我們采取的是通過收購企業(yè)擴大業(yè)務(wù)規(guī)模的戰(zhàn)略,從2011年開始,我們打出了“有機增長”的新戰(zhàn)略。要通過投放能夠與競爭對手形成差異的新產(chǎn)品實現(xiàn)增長。

因此,在選擇收購的企業(yè)時,關(guān)注的重點放在了特色技術(shù)上面,而不再是業(yè)務(wù)規(guī)模。因為我們的目的是通過收購的方式,填補本公司沒有的技術(shù)空白。這也就使得收購企業(yè)的規(guī)模比以往要小。

問:2011年以后收購的企業(yè)經(jīng)營的都是工業(yè)設(shè)備使用的電子部件。貴公司著眼的應(yīng)用領(lǐng)域是否也發(fā)生了變化?

小澤:本公司一直致力于發(fā)展工業(yè)用途、汽車用途、通信用途。從這個意義上來說,著眼的應(yīng)用領(lǐng)域并沒有發(fā)生變化。

但在智能手機、平板電視、個人電腦等市場上,產(chǎn)品低價格化的趨勢明顯。這些產(chǎn)品使用的電子部件也自然面對著激烈的價格競爭。因此,對于能夠利用技術(shù)優(yōu)勢和高度的可靠性一決勝負的工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域,我們的確加大了投入。

從2012年各領(lǐng)域的銷售額來看,汽車用途占20%,通信用途占11%,工業(yè)用途占29%,這3個領(lǐng)域的總和達到了60%。而在5年前的2007年,這個比例大約是50%。

問:請介紹一下貴公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略。

小澤:被動元件和分立器件的市場上競爭者眾多。因此,如果投放隨處可見的產(chǎn)品,必然會卷入價格競爭。因此必須要不斷推出具有技術(shù)特色的新產(chǎn)品。

問:被動元件和分立器件等產(chǎn)品也能與競爭對手形成差異嗎?

小澤:無論是被動元件,還是分立器件,都可以憑借產(chǎn)品的實力取勝。

以低耐壓(100V以下)的功率MOSFET為例。全世界的競爭企業(yè)約有130家。但是,通過利用低導(dǎo)通電阻、封裝小型化、與外圍功能的集成化等技術(shù),我們完全可以與競爭對手形成差異。例如,功率MOSFET的最新產(chǎn)品“TrenchFET Gen IV”在柵極-源極電壓為4.5V時,導(dǎo)通電阻僅為1.35mΩ,達到了極小的水平。

在二極管領(lǐng)域,我們也在向市場投放具有技術(shù)特色的產(chǎn)品。競爭對手采用的是平面構(gòu)造,而本公司推出的產(chǎn)品采用的是名為TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)的溝道構(gòu)造。這種構(gòu)造可以通過更大的電流。而且,封裝也做了改進。采用的是叫做“eSMP”的小型封裝。通過改進電極構(gòu)造,散熱性得到提高,與過去的封裝相比,可以縮小安裝的面積和高度。

被動元件中,車載用功率電感器擁有強大的產(chǎn)品競爭力。這種元件使用金屬復(fù)合材料,制造方法和材料特色鮮明。日本企業(yè)雖然也推出了同類產(chǎn)品,但我們的產(chǎn)品在能夠耐受的最大電流和最大工作溫度上具有優(yōu)勢。

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