3STL2540 是一個-40V/-5A PNP 電晶體，在完全飽和狀態(tài)時，最大電壓降(voltage drop)為200mV，基極電流(base current)僅為10mA。等效導(dǎo)通電阻僅為90mΩ，接近同等級超級邏輯層MOSFET (super logic-level MOSFET)的性能。

3STL2540 的核心技術(shù)是意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的雙金屬層平面基島技術(shù)(base island technology)，在0.2到10V的寬輸出電壓下，溫度在攝氏-30℃到150℃范圍內(nèi)，連續(xù)高電流增益(consistently high current gain，hFE)至少保持在100，創(chuàng)下業(yè)界同類元件最低的導(dǎo)通損耗記錄。高熱效率封裝 PowerFLAT 僅0.6mm高，封裝面積為2mm x 2mm，在最小的印刷電路板內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能功率電路。

3STL2540 現(xiàn)已量產(chǎn)。