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[導讀] 根據(jù)韓國內(nèi)存芯片制造商SK海力士消息,公司已經(jīng)開始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nmMLCNAND閃存芯片。公司表示,SK海力士的16nmNAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產(chǎn),最近已開始第二版本的大規(guī)模生產(chǎn)。由于芯片尺寸

根據(jù)韓國內(nèi)存芯片制造商SK海力士消息,公司已經(jīng)開始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nmMLCNAND閃存芯片。

公司表示,SK海力士的16nmNAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產(chǎn),最近已開始第二版本的大規(guī)模生產(chǎn)。由于芯片尺寸更小,這樣更具成本競爭力。

公司指出,SK海力士還根據(jù)16nm64GbMLC的規(guī)格和耐力開發(fā)出128GB(16GB)MLC芯片,定于2014年初批量生產(chǎn)。

公司表示,一般來說,越薄的工藝技術(shù)能更有效地縮小單元之間更頻繁的干擾,但SK海力士應用的最新氣隙技術(shù)(Air-Gap),克服了單元之間的干擾。氣隙技術(shù)使用真空孔在電路之間構(gòu)建絕緣屏蔽,而不是用化學物質(zhì)隔離。

責任編輯:Flora來源:元器件交易網(wǎng) 分享到:
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