制造方法如下。首先，將單晶SiC基片貼合在多晶SiC基片上。然后，一邊加熱一邊將單晶基片從多晶基片上剝離，剝離時(shí)使單晶基片的一部分留在多晶基片上。對(duì)單晶基片還粘在多晶基片上的部位實(shí)施研磨等處理，然后作為制造功率元件使用的基片出貨，制造功率元件時(shí)，將元器件結(jié)構(gòu)設(shè)置在單晶SiC上。

將剝離下來的單晶基片再次貼到多晶基片上，然后進(jìn)行上述操作。反復(fù)進(jìn)行這一系列操作后，就能由一塊單晶基片制作出多塊超薄基片，從而降低了每塊基片的成本。

Sicoxs還利用通過這種制造方法制作的薄型SiC基片試制出了二極管。據(jù)介紹，京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科電子工學(xué)專業(yè)副教授須田淳的研究團(tuán)隊(duì)對(duì)該試制品進(jìn)行了評(píng)估，完全可以正常工作。

另外，該技術(shù)的詳細(xì)情況已在SiC相關(guān)國際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”（宮崎縣，2013年9月29日～10月4日舉行）上發(fā)表。（記者：根津 禎，《日經(jīng)制造》）