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[導(dǎo)讀]日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所2013年10月31日~11月1日在日本茨城縣筑波市舉行了研究所公開活動(dòng)“產(chǎn)綜研實(shí)驗(yàn)室開放日”?;顒?dòng)中,產(chǎn)綜研和NEC等演示了將單層碳納米管(CNT)分離為半導(dǎo)體性和金屬性碳納米管的技術(shù)——“電場(chǎng)

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所2013年10月31日~11月1日在日本茨城縣筑波市舉行了研究所公開活動(dòng)“產(chǎn)綜研實(shí)驗(yàn)室開放日”。活動(dòng)中,產(chǎn)綜研和NEC等演示了將單層碳納米管(CNT)分離為半導(dǎo)體性和金屬性碳納米管的技術(shù)——“電場(chǎng)感應(yīng)成層法”(Electric-Field-Induced Layer Formation,ELF)。

ELF的基本原理是電泳。在玻璃容器中加入單層CNT、水以及作為分散劑的不含Na+等離子的高分子界面活性劑之后,使用長(zhǎng)度不同的電極施加4.5V的電壓。這樣,在1小時(shí)至十幾小時(shí)內(nèi),單層CNT就會(huì)像水和油一樣分層為半導(dǎo)體性CNT層和金屬性CNT層。這種方法可使半導(dǎo)體性CNT的純度達(dá)到95~98%以上。另外,可處理的CNT的直徑也很大,大約達(dá)到0.9nm~2.1nm。

用左端的電池施加4.5V電壓后的情形。CNT的直徑為1.0nm、1.3nm、1.7nm,均為下層為半導(dǎo)體性,上層為金屬性。 (點(diǎn)擊放大)

TASC等制作的CNT晶體管的載流子遷移率和導(dǎo)通/截止比。雖然數(shù)值有偏差,但研究表明,這是由CNT墨水的涂布技術(shù)存在偏差造成的。 (點(diǎn)擊放大)

原來(lái)在將單層CNT分離為半導(dǎo)體性和金屬性CNT時(shí),需要使用超離心分離器等設(shè)備花費(fèi)10小時(shí)以上,能源及成本消耗巨大。而此次的ELF法只需3塊干電池即可操作,能夠以極低的耗電和成本來(lái)實(shí)現(xiàn)。而且還能夠以原點(diǎn)還原的簡(jiǎn)單方法實(shí)現(xiàn)高分離精度。另外,分散劑使用不含Na+等離子的界面活性劑,非常適合制作CNT晶體管。

據(jù)悉,NEC、單層CNT融合新材料研究開發(fā)機(jī)構(gòu)(TASC)和產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所等,利用以該方法制作的半導(dǎo)體性CNT墨水試制了CNT晶體管,確認(rèn)載流子遷移率達(dá)到了10cm2/Vs左右,電流導(dǎo)通/截至比達(dá)到了104。(記者:野澤 哲生,《日經(jīng)電子》)

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