東芝推出采用19納米工藝技術(shù)的嵌入式NAND閃存模塊

時(shí)間：2013-11-06 11:02:00

關(guān)鍵字：東芝嵌入式 NAND閃存 GB

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e?MMCTM [1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z

東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e?MMCTM [1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲(chǔ)空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長(zhǎng)。這在包含控制器功能的嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域尤為明顯，這種嵌入式存儲(chǔ)器可以使開發(fā)要求降至最低，并使得整合進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加便利。東芝正通過增強(qiáng)其高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設(shè)備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit（相當(dāng)于8GB）NAND芯片（采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造）和一個(gè)專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC e?MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)，并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了高讀寫性能。

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設(shè)備都將整合一個(gè)控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

新產(chǎn)品系列

產(chǎn)品名稱容量封裝批量生產(chǎn)

THGBMBG8D4KBAIR 32GB153球FBGA

11.5x13x1.0mm 2013年11月底

THGBMBG7D2KBAIL16GB 153球FBGA

11.5x13x0.8mm2013年11月底

在16GB和32GB產(chǎn)品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

主要功能

1.符合JEDEC e?MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能，包括寫塊管理、糾錯(cuò)和驅(qū)動(dòng)軟件。它可簡(jiǎn)化系統(tǒng)開發(fā)，讓制造商能夠使開發(fā)成本最小化，并加快新產(chǎn)品和升級(jí)產(chǎn)品的上市速度。

2.嵌入系統(tǒng)后，128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長(zhǎng)達(dá)2,222小時(shí)的音樂、16.6小時(shí)的全高清視頻和38.4小時(shí)的標(biāo)清視頻[2]。

3.新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。

4.新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e?MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)布局。

主要規(guī)格

產(chǎn)品名稱THGBMBG8D4KBAIRTHGBMBG7D2KBAIL

接口 JEDEC e?MMCTM 5.0版標(biāo)準(zhǔn)

HS-MMC接口

容量 32GB 16GB

電源電壓2.7~3.6V（存儲(chǔ)器核）

1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V（接口）

總線寬度 x1 / x4 / x8

寫入速度每秒90MB.