iST獨(dú)家研發(fā)的 MEMS G-Sensor 失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程，已經(jīng)通過全球電子元件檢測失效分析技術(shù)研討會－ISTFA的認(rèn)可，并成為首家擁有 MEMS 研究團(tuán)隊(duì)的實(shí)驗(yàn)室。

iST觀察發(fā)現(xiàn)，許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時(shí)，由于對其結(jié)構(gòu)的認(rèn)知度、掌握度不夠，因此以傳統(tǒng)方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成元件污染。 此外，由于元件為懸浮結(jié)構(gòu)，以外力移除時(shí)易產(chǎn)生毀損。在兩造影響下易于造成元件污染和應(yīng)力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點(diǎn)。

為了克服此問題，iST成功開發(fā)出 MEMS 無污染的 De-cap 技術(shù)，結(jié)合無應(yīng)力的元件移除技術(shù)，以非破壞方式保留結(jié)構(gòu)原貌，避開機(jī)械應(yīng)力和污染產(chǎn)生的非真因失效。目前已幫助三十多家 MEMS 設(shè)計(jì)、制造與封裝企業(yè)，對癥下藥地找出失效點(diǎn)并成功改善，搶攻市場先機(jī)。