高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無(wú)引腳）封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產(chǎn)品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于空間受限的便攜式應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)，這是因?yàn)橥庑未笮?、功率密度和效率在這些應(yīng)用中都是極為關(guān)鍵的因素。

恩智浦半導(dǎo)體公司晶體管產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內(nèi)達(dá)到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過(guò)這一里程碑式的突破，恩智浦會(huì)繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。”

全新產(chǎn)品系列采用兩種封裝：?jiǎn)尉FN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達(dá)到1 W，具有可焊鍍錫側(cè)焊盤(pán)的特性。這些側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)鉛封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好，因此能滿(mǎn)足嚴(yán)格的汽車(chē)要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm2，是雙晶體管可采用的最小封裝。

采用DFN1010封裝的產(chǎn)品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標(biāo)準(zhǔn)含鉛SMD封裝（例如達(dá)到其八倍體積的SOT23），同時(shí)提供同等甚至更為出色的性能。