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[導(dǎo)讀]聯(lián)電28納米接單大躍進(jìn),獲聯(lián)發(fā)科追單,本季末放量,下半年將導(dǎo)入高通及博通二大客戶,成為挹注營運(yùn)成長一大動能。目前全球晶圓代工業(yè)28納米由臺積電獨(dú)霸,聯(lián)電正快速追趕,縮短晶圓雙雄之間的差距。聯(lián)電訂本周三(30日

聯(lián)電28納米接單大躍進(jìn),獲聯(lián)發(fā)科追單,本季末放量,下半年將導(dǎo)入高通及博通二大客戶,成為挹注營運(yùn)成長一大動能。目前全球晶圓代工業(yè)28納米由臺積電獨(dú)霸,聯(lián)電正快速追趕,縮短晶圓雙雄之間的差距。

聯(lián)電訂本周三(30日)舉行法說會,有望釋出28納米接單報(bào)捷訊息。法人預(yù)估,聯(lián)電本季訂單將強(qiáng)勁成長,單季合并營收增幅可達(dá)二位數(shù)。外資巴克萊為此調(diào)高聯(lián)電目標(biāo)價至15元;高盛也上修至12.5 元,態(tài)度翻多。

聯(lián)電高層表示,先前28納米制程進(jìn)度落后,但近期相關(guān)制程接單已逐步上軌道,今年確定會對營收挹注相當(dāng)大。

聯(lián)電高層透露,旗下28納米率先推出的低功耗多晶矽氮氧化矽(Poly Sion)制程,因良率提升,已獲聯(lián)發(fā)科追單,6 月將放量投片,第3季產(chǎn)出。

聯(lián)電承接先進(jìn)網(wǎng)通及高階手機(jī)芯片的關(guān)鍵28納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程在良率提升帶動下,接單也傳出佳音,業(yè)界傳出,聯(lián)電相關(guān)制程已相繼獲高通和博通認(rèn)證。

聯(lián)電表示,28納米HKMG制程今年下半年即可導(dǎo)入客戶量產(chǎn),但無法透露導(dǎo)入客戶細(xì)節(jié)。業(yè)界認(rèn)為,聯(lián)電是全球第二家提供Gate-Last技術(shù)的晶圓代工廠,其良率大幅提升,可有效分散現(xiàn)階段業(yè)界28納米訂單排隊(duì)窘境,成為主要芯片大廠第二代工來源。

法人指出,聯(lián)電去年已建置28納米HKMG約1.5萬片月產(chǎn)能,隨良率與接單傳出喜訊,短期雖仍難撼動臺積電在28納米的領(lǐng)先優(yōu)勢,對聯(lián)電卻意義重大,下半年?duì)I運(yùn)動能看俏。

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