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[導(dǎo)讀]就在人們還在為時(shí)速500Km/h的國(guó)內(nèi)高鐵實(shí)驗(yàn)列車(chē)上線開(kāi)跑而感到高興的時(shí)候,中國(guó)的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車(chē)型。據(jù)《人民日?qǐng)?bào)》報(bào)道,中國(guó)南車(chē)株洲基地建造的國(guó)內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線

就在人們還在為時(shí)速500Km/h的國(guó)內(nèi)高鐵實(shí)驗(yàn)列車(chē)上線開(kāi)跑而感到高興的時(shí)候,中國(guó)的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車(chē)型。據(jù)《人民日?qǐng)?bào)》報(bào)道,中國(guó)南車(chē)株洲基地建造的國(guó)內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線,日前通過(guò)專(zhuān)家鑒定,將于今年6月全線投產(chǎn)。這意味著我國(guó)打破了國(guó)外技術(shù)壟斷,掌握了高速列車(chē)最核心的技術(shù),中國(guó)高鐵將用上“中國(guó)芯”。中國(guó)南車(chē)生產(chǎn)的高鐵列出采用自主開(kāi)發(fā)的8英寸芯片,在試驗(yàn)中跑出了600公里以上的時(shí)速。中國(guó)南車(chē)也成為國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握該芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測(cè)試和系統(tǒng)應(yīng)用的企業(yè)。值得注意的是,此次600公里時(shí)速只是實(shí)驗(yàn)測(cè)試成績(jī),實(shí)際中到底能夠以多高的速度運(yùn)營(yíng),還要看配套軌道的建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)和各個(gè)線路的運(yùn)營(yíng)要求。

中國(guó)的500km/h高鐵實(shí)驗(yàn)列車(chē)上路開(kāi)跑

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上海2025年9月1日 /美通社/ -- 8月29日,由國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TÜV大中華區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)"TÜV萊茵")...

關(guān)鍵字: 工程師 REGULATION 基礎(chǔ)知識(shí) 智能化

IGBT是一個(gè)發(fā)熱源,其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗,損耗越大,發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷并不是瞬間完成的,有開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。

關(guān)鍵字: IGBT

在功率電子系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接影響開(kāi)關(guān)損耗、電磁干擾(EMI)和器件可靠性。門(mén)極電阻(Rg)與鉗位二極管(Dclamp)作為驅(qū)動(dòng)電路的核心元件,其參數(shù)優(yōu)化需平衡開(kāi)關(guān)速度、電壓尖峰抑...

關(guān)鍵字: IGBT 門(mén)極電阻 鉗位二極管

美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí),一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

關(guān)鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

中國(guó)上海,2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,與中國(guó)知名OEM廠商奇瑞汽車(chē)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交...

關(guān)鍵字: 汽車(chē)電子 IGBT SiC

6月23日消息,據(jù)媒體報(bào)道,印度連接西部城市艾哈邁達(dá)巴德與孟買(mǎi)的高速鐵路項(xiàng)目正面臨新的轉(zhuǎn)折。這條全長(zhǎng)500公里、設(shè)計(jì)運(yùn)行時(shí)間約2小時(shí)的高鐵線路,作為日印戰(zhàn)略合作的象征性工程,近期因技術(shù)升級(jí)和建設(shè)延期等問(wèn)題再次引發(fā)關(guān)注。

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

關(guān)鍵字: IGBT

在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,功率器件作為核心 “大腦”,其重要性不言而喻?;仡欉^(guò)往,IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車(chē)的上半場(chǎng),而如今,SiC 正加速上車(chē),開(kāi)啟新的發(fā)展周期。

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【2025年6月18日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(PHEV)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng),電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年,電動(dòng)汽車(chē)的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),從2024年的2...

關(guān)鍵字: IGBT RC-IGBT 芯片 電動(dòng)汽車(chē)

IGBT常采用的一體式封裝設(shè)計(jì),其中不僅集成了IGBT芯片,還包含了二極管芯片

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