IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，IR25750電流感測IC是新的組合區(qū)塊，利用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的導通電阻，或絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)的集射極導通電壓(Vce(on))量測電流，不需大型外部電流感測電阻器。這些功能可大幅提升常用開關(guān)式電力電子產(chǎn)品、馬達控制和工業(yè)設(shè)備等高電流應用的效率，并顯著節(jié)省空間。

IR25750可在開關(guān)導通時從功率MOSFET的內(nèi)部導通電阻，或IGBT的VCE(on)取出電壓，不需大型外部電流感測電阻器和散熱片，并避免過量的功率損耗；閘極驅(qū)動輸入為IC供應類比電源(VCC)電源電壓，并把導通電阻與VCE(on)感測電路，以及MOSFET或IGBT的開關(guān)時間進行同步。

新元件利用IR專利的高壓技術(shù)，在開關(guān)非導通時阻斷高源極電壓(VDS)或VCE電壓所需的600伏特(V)阻斷能力；在所有輸入輸出(I/O)上均具整合式防靜電能力和閂鎖免疫力，帶來理想的單晶片保護。該元件符合工業(yè)級標準及第一級濕度敏感度(MSL1)標準。

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