轉(zhuǎn)自臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的消息，SanDisk 加入 TLC 陣營(yíng)，推出 8GB 以及 16GB 智能手機(jī)用的快閃記憶體。

中國(guó)的智能手機(jī)市場(chǎng)擁有相當(dāng)大的市場(chǎng)，近期在低價(jià)智能手機(jī)方面，有著相當(dāng)多的需求，這次 SanDisk 發(fā)表的 iNAND 標(biāo)準(zhǔn)快閃記憶體（embedded flash drive, EFD）則是針對(duì)這樣的市場(chǎng)而退出。

1Y nm 制程，也就是 10nm 世代的 3-bit-per-cell（X3）NAND Flash，就是我們一般稱為 TLD 的顆粒。

雖然這款產(chǎn)品以價(jià)格作為導(dǎo)向，但其對(duì)應(yīng)到 e.MMC 4.51＋HS2.00 模式。在讀寫(xiě)表現(xiàn)方面，其順序讀寫(xiě)速度為 100MB/s 以及 7.5MB/s，另外隨機(jī)讀寫(xiě)表現(xiàn)則是 3000/200 IOPS。

這款 iNAND 標(biāo)準(zhǔn)的快閃記憶體已經(jīng)開(kāi)始在平板電腦上采用，至于智能手機(jī)部分，則需要等到 2014 下半年才會(huì)見(jiàn)到。

預(yù)期 SanDisk 將會(huì)在 Computex 2014 中正式宣布這款鎖定中低階行動(dòng)通訊裝飾的 iNAND 標(biāo)準(zhǔn)快閃記憶體。