【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎的“中國最具競爭力功率器件產(chǎn)品獎”和“中國最具競爭力電容器產(chǎn)品獎”。

摘要：  賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎的“中國最具競爭力功率器件產(chǎn)品獎”和“中國最具競爭力電容器產(chǎn)品獎”。

關(guān)鍵字：  編輯選擇獎，Vishay，MOSFET

 《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎的獲獎產(chǎn)品是根據(jù)在中國市場的銷售業(yè)績和技術(shù)創(chuàng)新選出的。Vishay的Si7655DN和MKP1848S因其在功率器件和電容器類產(chǎn)品中優(yōu)異表現(xiàn)而獲獎。

Vishay Siliconix Si7655DN是業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻比最接近的20V器件低17%或更多，使設(shè)計者能夠在其電路中實現(xiàn)更低的壓降，在便攜式電子產(chǎn)品中更有效地使用能量，讓電池的使用壽命更長。Si7655DN也是首款采用新版本PowerPAK®封裝的器件，高度比通常的0.75mm還要低28%。

對于DC-link應(yīng)用，Vishay Roederstein MKP1848S采用薄型設(shè)計，具有2µF～100µF的業(yè)內(nèi)最寬CV范圍，電壓等級為500VDC、700VDC和1000VDC。薄型MKP1848S為設(shè)計者提供了很多針對特定應(yīng)用的選項，具有12mm、15mm、18mm和24mm四種高度。在標稱直流電壓和+70℃下，MKP1848S的壽命超過10萬小時，適用于逆變器、電源、太陽能微逆變器、板上充電器(EV/HEV)、水泵和LED驅(qū)動器。

器件榮獲《中國電子商情》的編輯選擇獎 src="/News/UploadFile/2008/2013321145447116.jpg" width=500 height=333>

《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎的獲獎產(chǎn)品公布在雜志的2013年1月刊上。

所有《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎獲獎產(chǎn)品的信息發(fā)布在網(wǎng)址http://www.chinaem.com.cn/bencandy.php?fid=34&aid=6867。