摘要：  橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體與法國(guó)最著名的科研機(jī)構(gòu)CEA-Leti宣布來(lái)自意法半導(dǎo)體與CEA-Leti的研究員團(tuán)隊(duì)榮獲2012年Général Ferrié大獎(jiǎng)。

關(guān)鍵字：  FD-SOI技術(shù) 意法半導(dǎo)體

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體與法國(guó)最著名的科研機(jī)構(gòu)CEA-Leti宣布來(lái)自意法半導(dǎo)體與CEA-Leti的研究員團(tuán)隊(duì)榮獲2012年Général Ferrié大獎(jiǎng)。

被認(rèn)為法國(guó)電子研發(fā)領(lǐng)域最高榮譽(yù)的Général Ferrié大獎(jiǎng)每年授予為電子技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用做出突出貢獻(xiàn)的工程師或科學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

此次獲獎(jiǎng)團(tuán)隊(duì)成員為來(lái)自Leti的Claire Fenouillet-Béranger和Olivier Faynot與來(lái)自意法半導(dǎo)體的Stéphane Monfray和 Frédéric B?uf，他們?cè)贔D-SOI(全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)上取得重大突破而獲此殊榮。FD-SOI技術(shù)可進(jìn)一步縮小集成電路的尺寸。

自上個(gè)世紀(jì)60年代初，半導(dǎo)體工業(yè)一直按照摩爾定律提高芯片的計(jì)算性能。根據(jù)摩爾定律，集成電路的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐丁?/P>

然而，今天半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展面臨一個(gè)重大限制：一旦晶體管尺寸縮小至100納米以下，晶體管的電氣特性將越來(lái)越難以控制。意法半導(dǎo)體的先進(jìn)多模塊團(tuán)隊(duì)和Leti團(tuán)隊(duì)于本世紀(jì)初開(kāi)始著手研發(fā)，經(jīng)過(guò)多年努力，終于使量化新方法提高傳統(tǒng)晶體管性能的程度成為了可能。

隨著時(shí)間的推移，研究人員提出了使用絕緣體上的超薄硅襯底上制造晶體管替代在無(wú)絕緣體的更厚的硅層上制造晶體管的概念，最終開(kāi)發(fā)出全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)。這項(xiàng)平面技術(shù)采用傳統(tǒng)技術(shù)已采納的制程，而諸如FinFET等基于3D晶體管的方法需要徹底改變?cè)O(shè)計(jì)方法和制程。

事實(shí)上，這四位研究人員能夠驗(yàn)證FD-SOI技術(shù)選擇的正確性，同時(shí)也可使該技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。他們發(fā)現(xiàn)這項(xiàng)技術(shù)有三大優(yōu)勢(shì)：

制程非常接近現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)(單晶硅襯底所用的“體效應(yīng)”制造技術(shù))

從體效應(yīng)技術(shù)向FD-SOI技術(shù)移植電路設(shè)計(jì)較向FinFET技術(shù)容易很多，因?yàn)镕D-SOI技術(shù)仍使用平面形狀的晶體管

這項(xiàng)技術(shù)對(duì)移動(dòng)應(yīng)用非常有吸引力，如智能手機(jī)和平板電腦，這些應(yīng)用要求高性能與低功耗

Leti首席執(zhí)行官Laurent Malier表示：“這項(xiàng)大獎(jiǎng)?wù)J可了Leti在SOI領(lǐng)域20余年的研發(fā)努力。成功將這項(xiàng)技術(shù)開(kāi)發(fā)至產(chǎn)業(yè)化水平，成為移動(dòng)設(shè)備元器件備選制造工藝，實(shí)現(xiàn)出色的處理速度和功耗，這讓我們感到非常驕傲”。

意法半導(dǎo)體先進(jìn)器件總監(jiān)、IEEE研究員Thomas Skotnicki表示：“Claire、Frédéric、Olivier和Stéphane作為先進(jìn)器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)的核心成員，以堅(jiān)強(qiáng)的毅力和品質(zhì)驗(yàn)證不同的薄膜晶體管概念，克服了阻擋新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的所有障礙?！?/P>

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼前工序制造及工藝研發(fā)主管Jo?l Hartmann補(bǔ)充說(shuō)：“在一個(gè)國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈且企業(yè)競(jìng)相縮小元器件尺寸的工業(yè)環(huán)境中，看到CEA與意法半導(dǎo)體的長(zhǎng)期合作取得成果讓我感到特別驕傲?！?/P>

于12月3日舉行的頒獎(jiǎng)典禮由SEE(法國(guó)電力、電子、信息技術(shù)與通信協(xié)會(huì))主席Paul Friedel和法國(guó)科技協(xié)會(huì)顧問(wèn)兼獎(jiǎng)勵(lì)殊榮委員會(huì)主席Erich Spitz主持。

本項(xiàng)大獎(jiǎng)是為紀(jì)念法國(guó)工程師、將軍和無(wú)線電廣播技術(shù)先驅(qū) Gustave-Auguste Ferrié(1868-1932)而設(shè)立，他是1904年在埃菲爾斜塔上安裝無(wú)線電發(fā)射臺(tái)的負(fù)責(zé)人。1917年，他的設(shè)備成功截獲了間諜Mata Hari發(fā)送的情報(bào)，幫助法國(guó)政府終結(jié)了她的間諜活動(dòng)。