【導(dǎo)讀】隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場(chǎng)在不斷增長(zhǎng)。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動(dòng)向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場(chǎng)，采訪(fǎng)了曾在德國(guó)英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績(jī)并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購(gòu)及營(yíng)銷(xiāo)的管理委員會(huì)成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

摘要：  隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場(chǎng)在不斷增長(zhǎng)。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動(dòng)向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場(chǎng)，采訪(fǎng)了曾在德國(guó)英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績(jī)并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購(gòu)及營(yíng)銷(xiāo)的管理委員會(huì)成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

關(guān)鍵字：  功率元器件，  SiC，  英飛凌，  ArunjaiMittal

隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場(chǎng)在不斷增長(zhǎng)。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動(dòng)向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場(chǎng)，采訪(fǎng)了曾在德國(guó)英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績(jī)并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購(gòu)及營(yíng)銷(xiāo)的管理委員會(huì)成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

――您如何看待功率元器件市場(chǎng)?

米塔爾：功率元器件市場(chǎng)今后還將繼續(xù)增長(zhǎng)。但增長(zhǎng)空間會(huì)因采用功率元器件的各用途情況的不同而異。

――SiC作為新一代材料而備受關(guān)注。請(qǐng)介紹一下其優(yōu)勢(shì)。

米塔爾：SiC的主要優(yōu)勢(shì)是，可以提高效率，并提高輸出功率密度。而且，還適合高溫運(yùn)行，所以冷卻機(jī)構(gòu)可簡(jiǎn)化。由于還能實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，因此被動(dòng)元器件的尺寸可縮小。

――SiC市場(chǎng)將會(huì)如何?

米塔爾：我認(rèn)為SiC市場(chǎng)今后還會(huì)擴(kuò)大。然而因材料費(fèi)較高，單個(gè)元器件還很昂貴。因此，如果不在采用SiC功率元器件會(huì)在多大程度上改變系統(tǒng)的成本這一點(diǎn)上得到用戶(hù)的認(rèn)可，就不可能很快擴(kuò)大應(yīng)用。例如，雖然元器件成本升高，但通過(guò)使用SiC而使冷卻機(jī)構(gòu)得以簡(jiǎn)化，使系統(tǒng)整體的成本與原來(lái)相同，或者低于以前。因冷卻機(jī)構(gòu)的簡(jiǎn)化，所用的銅等材料也可減少。據(jù)認(rèn)為今后地球上銅、鐵及石油等多種資源的供求形勢(shì)會(huì)比現(xiàn)在還要嚴(yán)峻。惟其如此，更需要盡量減少冷卻機(jī)構(gòu)等使用的部材，而在需要降低整體系統(tǒng)成本的用途上，我認(rèn)為可以采用SiC。

――請(qǐng)介紹一下SiC適合的用途。

米塔爾：SiC適合的領(lǐng)域，有前述那樣希望減少冷卻機(jī)構(gòu)的用途、要求高轉(zhuǎn)換效率及輸出功率密度的用途，以及要求以高頻率開(kāi)關(guān)的用途等。例如，光伏發(fā)電系統(tǒng)就適合采用SiC。這是因?yàn)樵擃I(lǐng)域要求盡量提高效率。除了提高太陽(yáng)能電池板的光電轉(zhuǎn)換效率之外，還要求轉(zhuǎn)換并輸送電力的部分降低損耗。這里可發(fā)揮SiC的低損耗性作用。

――最近，貴公司決定推出SiC制JFET。

米塔爾：我們數(shù)年前就開(kāi)始在提供SiC制JFET的樣品。此次終于推出了產(chǎn)品。決定推出產(chǎn)品的原因是，我們?cè)赟iC方面積累了不少技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，且正好趕上了制造成本比以前還要低的時(shí)機(jī)。JFET與MOSFET相比，最大的優(yōu)勢(shì)在于，因去掉了柵極氧化膜，所以不會(huì)發(fā)生因之而起的可靠性降低。

――在SiC備受關(guān)注的同時(shí)，新涉足用SuperJunction(SJ)構(gòu)造的Si制MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)在增加。

米塔爾：節(jié)能領(lǐng)域是一個(gè)增長(zhǎng)市場(chǎng)。因此，從事SJ型MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)也在不斷增加。傳統(tǒng)型MOSFET的封裝面積有限，在這樣的面積中制作損耗更小的元器件存在限制。因此，采用SJ構(gòu)造的企業(yè)才會(huì)不斷增加。我想對(duì)新涉足SJ構(gòu)造MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)說(shuō)聲“Goodluck!”。這句話(huà)含有兩層意思。一個(gè)是希望這種MOSFET能夠有助于解決地球能源問(wèn)題。另一個(gè)是希望這些企業(yè)“好好干”。但我們(英飛凌)在SJ構(gòu)造MOSFET方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

――關(guān)于Si制IGBT，有意見(jiàn)認(rèn)為性能提高的潛力變小了。

米塔爾：IGBT性能的提高確實(shí)被認(rèn)為正在接近極限。但或許會(huì)發(fā)生“硅反擊戰(zhàn)”，而不是星球大戰(zhàn)“帝國(guó)反擊戰(zhàn)”。