摘要：  鄔賀銓認(rèn)為，LTE終端需要的是28-32nm的芯片，而目前最先進(jìn)的芯片技術(shù)進(jìn)到45nm。因此，芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程將在一定程度上制約LTE的商用?！澳柖梢呀?jīng)打破，可以預(yù)計(jì)未來十年內(nèi)將有新的芯片技術(shù)出現(xiàn)?！编w賀銓表示。

關(guān)鍵字：  LTE，  芯片，  頻率，  內(nèi)容，  手持終端，  32nm，  500MHz

在22日舉行的“2011年ICT深度觀察大型報(bào)告會”上，中國工程院院士鄔賀銓指出，LTE發(fā)展還需克服三大短板，即芯片、頻率和內(nèi)容。

盡管目前全球LTE發(fā)展迅速，2010年全球LTE商用網(wǎng)絡(luò)已達(dá)16個(gè)，但是目前支持LTE的手持終端產(chǎn)品依然有限。鄔賀銓認(rèn)為，LTE終端需要的是28-32nm的芯片，而目前最先進(jìn)的芯片技術(shù)進(jìn)到45nm。因此，芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程將在一定程度上制約LTE的商用?！澳柖梢呀?jīng)打破，可以預(yù)計(jì)未來十年內(nèi)將有新的芯片技術(shù)出現(xiàn)。”鄔賀銓表示。

頻譜資源的緊張是制約LTE商用的另一個(gè)主要因素。目前美國已經(jīng)將500MHz的頻率資源分配給LTE，充分支持LTE的發(fā)展，而在國內(nèi)，目前頻譜缺口還明顯存在。

最后，鄔賀銓指出，目前LTE除了高速上網(wǎng)外，還沒能提供更多令用戶增值的業(yè)務(wù)，需要業(yè)內(nèi)繼續(xù)探索。而對于目前比較熱門的3D手機(jī)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)業(yè)務(wù)，鄔賀銓比較看好增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)。增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)，也被稱之為混合現(xiàn)實(shí)。它通過電腦技術(shù)，將虛擬的信息應(yīng)用到真實(shí)世界，真實(shí)的環(huán)境和虛擬的物體實(shí)時(shí)地疊加到了同一個(gè)畫面或空間同時(shí)存在，將是未來手機(jī)應(yīng)用的一個(gè)主要方向。

LTE發(fā)展需要克服芯片、頻率、內(nèi)容三大短板 src="http://www.globalsca.com/News/UploadFile/2008/2011323103818148.gif" border=0>