國際整流器公司(IR)環(huán)球市場及企業(yè)傳信副總裁Graham Robertson先生3月5日在深圳新聞發(fā)布會上宣布了一個令人振奮的消息：“IR推出了 行業(yè)首個商用氮化鎵集成功率級產(chǎn)品系列GaNpowerIR?！?

據(jù)Graham Robertson先生介紹，GaNpowerIR這款開創(chuàng)先河的氮化鎵功率器件技術(shù)平臺是IR經(jīng)過5年的時間，基于其專有硅上氮化鎵外延技術(shù) 研究開發(fā)的成果。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC 轉(zhuǎn)換器。GaNpowerIR是一種革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺，與最先進的硅技術(shù)平臺相比，能夠改善客戶主要特定應(yīng)用的性能指數(shù) (FOM) 高達10倍，可以顯著提高性能并節(jié)省能源消耗。Graham Robertson先生表示：“以硅為材料的器件從2007年之后性能已經(jīng)趨于成熟，而 以氮化鎵為材料的器件的效率持續(xù)得到提高。更為重要的，其他的器件通常是以高成本換取高性能和高密度，而氮化鎵器件性能和密度很有優(yōu) 越性，但成本很低?！?

Graham Robertson給記者分析說：“iP2010和iP2011系列集成了高度復雜、非常先進的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC，并匹配一個多開關(guān)單片 氮化鎵功率器件。由于氮化鎵本身的優(yōu)點，使得IP2010/IP2011具有全球最佳功率級效率。當負載為30A，在600kHz下的典型功耗僅為3.2W，峰 值效率大于93%，在1.2mHz是峰值效率大于91%，效率可以從3.5%提升到7%?！?

他還表示，iP2010和iP2011具有突破性的開關(guān)頻率，通過將開關(guān)頻率從400kHz提高一倍至800kHz，相對于業(yè)界的分立方案和DrMOS方案， iP2010和iP2011電路板的空間可以縮小30%到40%，這是業(yè)界唯一能夠?qū)崿F(xiàn)高效的多赫茲運行的高電流功率級產(chǎn)品。另外，這兩種器件采用細小 占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。