經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值， 能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰

2010年2月2日 – 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。

安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規(guī)范特性包括：

• 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)

• 電流能力高達76安培(A)

• 經(jīng)過100%雪崩測試

• 通過AEC-Q101標準認證

安森美半導體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N溝道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產(chǎn)品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最優(yōu)器件。”