首爾半導體與日亞(NICHIA)在官司糾紛得到共識,簽訂交叉共享協(xié)議
[導讀]【導讀】首爾半導體與日亞(NICHIA),官司糾紛得到共識,交叉共享協(xié)議 首爾半導體和日亞正式宣布停止在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件。雙方簽訂包含所有 LED 和 LD(Laser Diode)技術(shù)的交
【導讀】首爾半導體與日亞(NICHIA),官司糾紛得到共識,交叉共享協(xié)議 首爾半導體和日亞正式宣布停止在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件。雙方簽訂包含所有 LED 和 LD(Laser Diode)技術(shù)的交叉共享協(xié)議,從此雙方將彼此無限制地使用對方的專利。
首爾半導體和日亞正式宣布停止在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件。雙方簽訂包含所有 LED 和 LD(Laser Diode)技術(shù)的交叉共享協(xié)議,從此雙方將彼此無限制地使用對方的專利。
按照協(xié)議條款,除在德國進行的 DE 691-07-630 T2(EP 0-437-385 B1)專利案件外,雙方將會停止所有專利案件,上述的德國專利案件將會在 2009 年 2 月進行裁定結(jié)束。
首爾半導體和日亞正式宣布停止在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件。雙方簽訂包含所有 LED 和 LD(Laser Diode)技術(shù)的交叉共享協(xié)議,從此雙方將彼此無限制地使用對方的專利。
按照協(xié)議條款,除在德國進行的 DE 691-07-630 T2(EP 0-437-385 B1)專利案件外,雙方將會停止所有專利案件,上述的德國專利案件將會在 2009 年 2 月進行裁定結(jié)束。





