從臺積電推遲40nm工藝看產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展形勢
時(shí)下的微電子產(chǎn)業(yè)鏈已是一個(gè)相當(dāng)龐大的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),從最上游的晶圓制造代工廠(Foundy)、中游的無晶圓廠設(shè)計(jì)公司(Fabless),直到下游的OEM(原始設(shè)備制造商)、ODM(原始設(shè)計(jì)制造商),無不在電子信息產(chǎn)品的制造過程中發(fā)揮著無可取代的作用。從微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)來看,生產(chǎn)制造是基礎(chǔ),研發(fā)設(shè)計(jì)是靈魂,二者只有相輔相成才能多快好省地推出滿足市場需求的產(chǎn)品。最近,國內(nèi)外媒體報(bào)道的臺積電(TSMC)40nm工藝推遲至明年一季度的消息,著實(shí)在業(yè)界引起了不小的反響,受影響最大的莫過于AMD-ATI了,但其他的先進(jìn)制成追隨者例如Altera等所受拖累也不可謂不小。
臺積電40nm工藝的擱淺
此前,在Intel、IBM和AMD紛紛投向45nm的時(shí)候,臺積電決定直接跳到40nm的代工服務(wù)這一制程。按照計(jì)劃,臺積電會在今年晚些時(shí)候上馬40nm工藝生產(chǎn)線。
目前與臺積電在40nm工藝方面合作的主要客戶包括AMD、Altera、Broadcom、Conexant、NVIDIA、Spansion、Synopsys及VIA,最近Sun Microsystems也選擇了臺積電,來代工生產(chǎn)UltraSPARC處理器。
然而,臺積電40nm推出計(jì)劃被不斷延遲,由明年1月份又進(jìn)一步延后到了2-3月份。臺積電的變更必將對這些雄心勃勃直指40nm的客戶們的研發(fā)計(jì)劃乃至交付產(chǎn)品的時(shí)間產(chǎn)生一定的影響,最終還可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng),使終端產(chǎn)品的上市受到拖累。Altera是臺積電先進(jìn)工藝的忠實(shí)追隨者,在此之前也確實(shí)享受到了臺積電對先進(jìn)工藝的執(zhí)著所帶來的好處,所以這次依然跟隨臺積電40nm計(jì)劃在今年4月高調(diào)宣稱2008年第四季度推出40nm產(chǎn)品,并向外界描述了諸多其未來40nm產(chǎn)品的優(yōu)勢。此次臺積電推遲40nm工藝的消息,無疑對他們是一個(gè)不小的打擊。
作為行業(yè)基礎(chǔ)的代工廠,在微電子產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈中起著決定性的先導(dǎo)作用。它將決定設(shè)計(jì)公司的下一代工藝、交貨日期以及系統(tǒng)開發(fā)的進(jìn)展;而代工廠良品率的高低更與芯片的價(jià)格、性能穩(wěn)定性,直至OEM或ODM的終端產(chǎn)品有著密不可分的關(guān)系。
歷史上,因初期制造工藝復(fù)雜導(dǎo)致芯片良品率過低、成本居高不下、交貨時(shí)間拉長,諸如此類令系統(tǒng)廠商叫苦不迭的情形時(shí)有發(fā)生。去年8月,NVIDIA就曾因臺積電產(chǎn)能問題陷入供貨緊缺的窘境。而AMD也發(fā)生過相同的情況,對下游廠商的負(fù)面影響非常大。旺季來臨時(shí)的嚴(yán)重缺貨,幾乎使廠商無產(chǎn)品可賣。
從目前看,受臺積電推遲40nm計(jì)劃影響最大的莫過于最先希望采用新工藝的半導(dǎo)體廠商們,像AMD的ATI顯卡部門、Altera等。ATI近年來一直對新工藝情有獨(dú)鐘,其下一代主流臺式顯卡RV870很可能會升級到40nm工藝,如果真是這樣,它無疑會受到最大的影響,甚至不排除RV870先期繼續(xù)使用55nm,以后再升級為40nm的可能。在采用新工藝方面比較激進(jìn)的Altera原計(jì)劃在今年交付40nm芯片,現(xiàn)在看來已經(jīng)不可能了。也有一些公司對新工藝非常謹(jǐn)慎,像NVIDIA,它剛剛邁過了55nm的門檻,可能不會一下子跳到40nm,因此不會受到任何影響。
地處半導(dǎo)體工業(yè)源頭的代工廠,稍有風(fēng)吹草動就曾引起整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈一系列連鎖反應(yīng),如今臺積電40nm工藝的推遲使人們不得不再次對這一現(xiàn)象進(jìn)行深刻反思。競爭并沒有什么錯(cuò)誤,但是必須充分考慮到產(chǎn)業(yè)鏈的方方面面,為了競爭而競爭有時(shí)難免會因些許閃失而殃及池魚。
40nm工藝的來龍去脈
2007年6月,臺積電宣布2009年投產(chǎn)32nm,而2008年是過渡性的40nm工藝。臺積電稱,該公司目前有200多名工程師正在研發(fā)32nm工藝,預(yù)計(jì)2009年第四季度即可投產(chǎn)。臺積電當(dāng)時(shí)的說法是,其65nm工藝已經(jīng)成熟,正在準(zhǔn)備轉(zhuǎn)入45nm工藝并量產(chǎn)。在實(shí)現(xiàn)32nm之后,他們還將繼續(xù)向22nm進(jìn)發(fā)。在45nm和32nm之間,臺積電將在2008年的某個(gè)時(shí)候推出過渡性的40nm工藝,就像90nm與65nm之間的80nm工藝的情形一樣。
不過,9個(gè)月之后,臺積電又公布了40nm工藝細(xì)節(jié)的更新,即跳過45nm,直接為客戶提供40nm芯片代工服務(wù)。臺積電這一舉動,完全是市場壓力競爭使然。在AMD、IBM和英特爾已經(jīng)采用45nm工藝的情況下,臺積電希望通過轉(zhuǎn)向40nm工藝的捷徑,為客戶提供更加先進(jìn)的代工生產(chǎn)。
與45nm工藝相比,40nm工藝的確前進(jìn)了一小步。臺積電40nm工藝將有側(cè)重功耗的40LP和側(cè)重性能的40G兩個(gè)方案,其中40LP工藝將主要用來生產(chǎn)無線通信芯片和移動芯片,而40G工藝將主要來代工游戲機(jī)芯片、圖形芯片和其他高性能芯片。
發(fā)布該消息時(shí)臺積電表示:“我們的技術(shù),可以確保原來45nm芯片向40nm工藝的完美轉(zhuǎn)移。臺積電投入了巨大的人力物力,將確保這種轉(zhuǎn)移是透明的,芯片設(shè)計(jì)師只需要集中精力實(shí)現(xiàn)其性能目標(biāo)?!?nbsp;
據(jù)稱,臺積電40nm工藝采用極低介電系數(shù)材料和193nm浸沒光刻工藝,目前已經(jīng)拿出了40nm的SRAM試驗(yàn)芯片,芯片尺寸0.242微米為業(yè)界最小,門密度是臺積電之前的65nm工藝的2.35倍。
今年5月,一直宣稱下一代FPGA是基于45nm制造工藝的Altera發(fā)布了業(yè)界首款40nm FPGA,據(jù)稱在密度、性能和低功耗方面遙遙領(lǐng)先。它具備680K邏輯單元(LE),1,330萬邏輯門,是容量最大的PLD器件,可滿足眾多市場對各種高端應(yīng)用的需求,如無線和有線通信、軍事、廣播和ASIC原型開發(fā)等。這也標(biāo)志著PLD市場40nm的揭幕戰(zhàn)正式打響。
Altera公司解釋說,該公司和代工廠商臺積電從2006年就開始針對下一代FPGA工藝進(jìn)行研發(fā),最初階段所進(jìn)行的設(shè)計(jì)和測試都是基于45nm制造工藝,但考慮到成熟的工藝,臺積電建議新產(chǎn)品采用40nm工藝,以保持產(chǎn)品的領(lǐng)先優(yōu)勢。這種超前一般工藝節(jié)點(diǎn)半步(Half-step)的做法在產(chǎn)業(yè)中不乏先例。
除了滿足設(shè)計(jì)人員所需的更高數(shù)據(jù)速率、更高接口帶寬和更強(qiáng)數(shù)據(jù)處理能力,Altera的解決方案還具有FPGA硬件和軟件協(xié)同設(shè)計(jì)和協(xié)同驗(yàn)證的優(yōu)勢,可以使產(chǎn)品面市縮短幾個(gè)月的時(shí)間,而使用HardCopy ASIC還具有ASIC量產(chǎn)和低風(fēng)險(xiǎn)的優(yōu)勢。不過,隨著臺積電推遲40nm工藝的消息,這些優(yōu)勢似乎都打了一個(gè)大大的折扣。在45nm工藝剛剛開始成熟的今天,40nm工藝時(shí)代是否真的已經(jīng)到來,是否存在一些無法避免的商業(yè)風(fēng)險(xiǎn),都值得人們認(rèn)真思考。不管怎樣,臺積電40nm工藝最終投產(chǎn)時(shí)間的推遲對于對工藝比較敏感的廠商來講并不是個(gè)好消息。 [!--empirenews.page--]
代工廠的市場風(fēng)險(xiǎn)
上世紀(jì)90年代全球代工模式剛剛興起時(shí),代工業(yè)的增長速度驚人,廠商可以得到足夠的資金尋求發(fā)展。然而,近年來先進(jìn)的代工制造商迫于工業(yè)的上升及下降周期,只能根據(jù)需要擴(kuò)充產(chǎn)能。雖然今天大部分代工廠仍在邁向先進(jìn)的工藝,但是他們大都采用了比較保守的策略。通常只有市場需求達(dá)到一定規(guī)模才逐步擴(kuò)充產(chǎn)能。可見,半導(dǎo)體技術(shù)和工藝并非一直處于增長狀態(tài),廠商一切策略的據(jù)點(diǎn)更是對于利潤率的考慮,他們會更多地關(guān)注市場需求。
一直以來,臺積電對每種下一代先進(jìn)工藝總會很快跟進(jìn)并擴(kuò)大產(chǎn)能。但是在2007年邁向45nm時(shí),臺積電發(fā)現(xiàn)客戶對先進(jìn)工藝的需求并不如之前那樣迫切,連Gartner公司也認(rèn)為目前代工的客戶并不急于釆用先進(jìn)的工藝。
去年整個(gè)代工行業(yè)的增長率大概在2%多一點(diǎn),而穩(wěn)居代工領(lǐng)頭羊的臺積電的增長率僅為1%左右。往日財(cái)大氣粗的臺積電已經(jīng)開始縮減投資,最直接的后果就是其最新擴(kuò)充的12英寸晶圓生產(chǎn)線的廠房雖然已經(jīng)搭建完,但何時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)已成未知。以臺積電的增長率來看,很明顯是遇到了一些問題。
代工服務(wù)是一柄雙刃劍,為大廠商代工并非只有好處,最大的弊端便是主動權(quán)操縱在他人之手。代工廠越是依賴于代工業(yè)務(wù),也就越容易受制于人。事實(shí)上,像三星、英特爾這樣的廠商都把利潤最高和最易于加工的業(yè)務(wù)攥在自己手里,前者有SRAM,后者有CPU。臺積電們拿到的只是一些利潤較低、工藝難度又大的芯片業(yè)務(wù),這就使他們陷入了騎虎難下的境地。
40nm時(shí)代何時(shí)來臨
通常,工藝越先進(jìn),單位密度的成本就越低,F(xiàn)PGA的速度也越快,所以40nm產(chǎn)品的優(yōu)勢非常明顯。此外,著名半導(dǎo)體代工廠的分析報(bào)告表明,相對于45nm工藝,40nm工藝產(chǎn)品將減少約20%的硅片面積。所以,40nm具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢,是FPGA的未來發(fā)展方向。
當(dāng)前的邏輯電路領(lǐng)域,90nm工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟,其次是65nm,目前有15、6家廠商在采用,而真正采用40nm工藝的邏輯電路廠商只有兩家,其中就包括Altera。
對于生產(chǎn)外包的FPGA廠商來說,生產(chǎn)工藝取決于代工廠計(jì)劃。人們知道,今年3月份各代工廠的生產(chǎn)工藝才從45nm遷移到40nm,40nm現(xiàn)在仍處于研發(fā)和小規(guī)模試產(chǎn)階段,如果在此時(shí)追逐這一潮流還是有相當(dāng)大的風(fēng)險(xiǎn)的。雖然先進(jìn)的FPGA產(chǎn)品的開發(fā)通常都會與代工廠有非常早期的合作,甚至在實(shí)驗(yàn)室階段就有合作;雖然有理由相信FPGA廠商發(fā)布基于40nm的產(chǎn)品是經(jīng)過了認(rèn)真的考慮,希望將風(fēng)險(xiǎn)降低到可控范圍內(nèi),但在產(chǎn)業(yè)鏈還沒轉(zhuǎn)到40nm工藝的條件下,人們?nèi)匀淮嬗幸恍┮蓱]。
由于工藝非常先進(jìn),40nm有很多已經(jīng)預(yù)知甚至是不可預(yù)知的挑戰(zhàn),如采用新型第二代硅鍺應(yīng)變硅(Second generation strained silicon with SiGe)工藝,需要一個(gè)工藝庫積累和工藝庫驗(yàn)證的過程;濕浸式光刻技術(shù)也是業(yè)界第一次采用,在生產(chǎn)工藝成熟度方面需要經(jīng)過驗(yàn)證。這些驗(yàn)證必須通過最后成品的缺陷率來反應(yīng),而不可能在生產(chǎn)前就非常清楚地預(yù)見到。如此精細(xì)的工藝,每一個(gè)工藝環(huán)節(jié)都會對最后的成品率產(chǎn)生直接的影響。因此,40nm工藝的生產(chǎn)挑戰(zhàn)達(dá)到了一個(gè)前所未有的高度,其風(fēng)險(xiǎn)之大顯而易見。
此外,成品率的問題會使成本居高不下。雖然工藝每升級一次,就能使晶圓的制造成本降低一半,但是卻會使芯片的開發(fā)成本上升2倍、3倍甚至更多,而且是呈指數(shù)上升的。高工藝節(jié)點(diǎn)的開模費(fèi)及研發(fā)費(fèi)用更會高得驚人。其未來采用廠商只會越來越少,因?yàn)樽钕冗M(jìn)工藝的IC設(shè)計(jì)只能由少數(shù)頂尖公司實(shí)現(xiàn)。
市場競爭帶來了兩難的抉擇。IC設(shè)計(jì)、掩膜和工藝制造每前進(jìn)一步都會帶來成本的急劇上升,但是代工廠又必須繼續(xù)投入研發(fā)來跟蹤先進(jìn)工藝,可以說代工廠是在風(fēng)險(xiǎn)中求生存。從目前的情況看,我們還在等待臺積電能夠進(jìn)一步開啟40nm的新局面?;蛟S,我們距離40nm時(shí)代確實(shí)還有一段距離。





