【導讀】索尼開發(fā)出低耗電A-D轉換器 主要面向系統(tǒng)LSI的混載用途     索尼LSI Design開發(fā)出了面向系統(tǒng)LSI混載的低耗電閃存型A-D轉換器，將在ISSCC 2008上進行發(fā)表。這是一款采用串并聯(lián)式(Subranging)架構、具有8bit分辨率的A-D轉換器。0.7V驅動時的耗電量方面，每次轉換僅為290fJ。為面向便攜設備系統(tǒng)LSI等的A-D轉換器。 

    新產品通過采用新的處理方式，將前置放大器和比較器的個數減少了一半。因此，估計芯片面積比較小，不過已經公布的產品概要中，沒有透露芯片面積等。新產品采用90nm工藝CMOS技術設計。 

    索尼將要發(fā)表的論文題目是“A Split-Load Interpolation-Amplifier-Array 300MS/s 8b Subranging ADC in 90nm CMOS”。耗電量方面，當驅動電壓為1.2V、采樣速度為每秒300M樣本時，每次轉換的耗電量為680fJ。290fJ是采樣速度為每秒100M樣本時的耗電量。