【導讀】晶圓代工廠紛投入 內(nèi)存授權(quán)市場交易加溫  
    晶圓代工廠紛紛投入內(nèi)存產(chǎn)品代工，也使得內(nèi)存相關(guān)IP授權(quán)業(yè)者交易日趨活絡。除了中芯國際近期進一步取得Saifun 8Gb高容量閃存（Flash）授權(quán)，與中芯友好的IC設計服務業(yè)者芯原也宣布取得正一科技（MoSys）知名的1T SRAM授權(quán)，而MoSys近期更開發(fā)完成首款1T Flash已授權(quán)給富士通（Fujitsu），內(nèi)存授權(quán)市場顯得交易特別熱絡。  

    芯原宣布和單芯片（SoC）嵌入式內(nèi)存解決方案供貨商MoSys展開合作，雙方正在合作未來1T SRAM技術(shù)合作，未來芯原客戶將可采用MoSys 1TSRAM專利技術(shù)的，及與眾多晶圓代工廠90奈米制程合作，以達到一次購足及整合服務目的。對于芯原提供整合性平臺，可說再添一利器。  

    MoSys日前也宣布，其與富士通之間的1T SRAM授權(quán)更以延伸至65奈米先進制程。1T SRAM是MoSys最知名內(nèi)存授權(quán)產(chǎn)品，目 

    前MoSys也已開發(fā)完成1T Flash，且已與某半導體業(yè)者簽約。  

    MoSys是由創(chuàng)辦人許夫杰于1991年在美國創(chuàng)辦，許曾任該公司的董事長暨總經(jīng)理，2004年底，許夫杰自該項職務退休，2006年初加入臺積電擔任設計暨技術(shù)平臺副總。  

    除了上述業(yè)者之外，目前全球排名前10大IP授權(quán)業(yè)者中，2家主要從事內(nèi)存授權(quán)的分別是Rambus及Saifun。Rambus受惠于高傳輸接口內(nèi)存需求持續(xù)成長，加上全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)下半年表現(xiàn)搶眼，Rambus第三季營收較2005年同期成長將近28%；盡管許多內(nèi)存授權(quán)業(yè)者著重產(chǎn)品不盡相同，但在內(nèi)存市場持續(xù)成長，及SoC嵌入式內(nèi)存需求增加下，IP授權(quán)業(yè)者則對交易轉(zhuǎn)趨熱絡正面以對。