半導(dǎo)體存儲(chǔ)和MEMS成為SOI的殺手應(yīng)用
[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體存儲(chǔ)和MEMS成為SOI的殺手應(yīng)用
絕緣硅(SOI)已成為高端微處理器和其它先進(jìn)芯片的核心材料。by-wire技術(shù)器件,需要電容器較少的存儲(chǔ)器件,雙極CMOS(BiCMOS),電子標(biāo)簽(RFID)和微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS
【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體存儲(chǔ)和MEMS成為SOI的殺手應(yīng)用
絕緣硅(SOI)已成為高端微處理器和其它先進(jìn)芯片的核心材料。by-wire技術(shù)器件,需要電容器較少的存儲(chǔ)器件,雙極CMOS(BiCMOS),電子標(biāo)簽(RFID)和微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)等新興應(yīng)用,預(yù)計(jì)會(huì)在近期提高對(duì)SOI晶圓的需求。
“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直努力滿(mǎn)足人們對(duì)于更快速度和更低功耗的要求,而SOI技術(shù)在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)方面正在發(fā)揮重要作用?!盕rost & Sullivan的研究分析師Jayson Koh表示。“通過(guò)減少泄漏引起的損耗,SOI設(shè)計(jì)可以大幅降低寄生電容和提高電流驅(qū)動(dòng)。它還通過(guò)良好的器件絕緣使得器件能夠更緊密地封裝在一起?!?nbsp;
結(jié)電容和體效率降低,導(dǎo)致SOI速度得到改善。因此,SOI技術(shù)使得建立在SOI晶圓基礎(chǔ)上的產(chǎn)品比采用CMOS工藝制造的產(chǎn)品領(lǐng)先一代。此外,SOI比硅片更適合低功率和低電壓應(yīng)用,因?yàn)樗哂休^低的寄生結(jié)電容和優(yōu)異的晶體管開(kāi)關(guān)特性。
但SOI晶圓成本較高,這妨礙了成本敏感的應(yīng)用。另一方面,晶圓的供應(yīng)一直是個(gè)問(wèn)題。目前全球SOI晶圓供應(yīng)過(guò)低,而且由幾家小型制造商所壟斷。但是這種情況正在改善。
絕緣硅(SOI)已成為高端微處理器和其它先進(jìn)芯片的核心材料。by-wire技術(shù)器件,需要電容器較少的存儲(chǔ)器件,雙極CMOS(BiCMOS),電子標(biāo)簽(RFID)和微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)等新興應(yīng)用,預(yù)計(jì)會(huì)在近期提高對(duì)SOI晶圓的需求。
“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直努力滿(mǎn)足人們對(duì)于更快速度和更低功耗的要求,而SOI技術(shù)在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)方面正在發(fā)揮重要作用?!盕rost & Sullivan的研究分析師Jayson Koh表示。“通過(guò)減少泄漏引起的損耗,SOI設(shè)計(jì)可以大幅降低寄生電容和提高電流驅(qū)動(dòng)。它還通過(guò)良好的器件絕緣使得器件能夠更緊密地封裝在一起?!?nbsp;
結(jié)電容和體效率降低,導(dǎo)致SOI速度得到改善。因此,SOI技術(shù)使得建立在SOI晶圓基礎(chǔ)上的產(chǎn)品比采用CMOS工藝制造的產(chǎn)品領(lǐng)先一代。此外,SOI比硅片更適合低功率和低電壓應(yīng)用,因?yàn)樗哂休^低的寄生結(jié)電容和優(yōu)異的晶體管開(kāi)關(guān)特性。
但SOI晶圓成本較高,這妨礙了成本敏感的應(yīng)用。另一方面,晶圓的供應(yīng)一直是個(gè)問(wèn)題。目前全球SOI晶圓供應(yīng)過(guò)低,而且由幾家小型制造商所壟斷。但是這種情況正在改善。





