硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用
[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用
硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置此前一直主要由硅晶圓廠商使用,而最近開(kāi)發(fā)45nm工藝以及更先進(jìn)的LSI的半導(dǎo)體廠商也紛紛開(kāi)始采用。 為了滿足半導(dǎo)體廠
【導(dǎo)讀】硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用
硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置此前一直主要由硅晶圓廠商使用,而最近開(kāi)發(fā)45nm工藝以及更先進(jìn)的LSI的半導(dǎo)體廠商也紛紛開(kāi)始采用。
為了滿足半導(dǎo)體廠商的新需求,從事邊緣檢測(cè)裝置業(yè)務(wù)的雷泰(RAYTEX)將公司遷移到了配有CLASS100和CLASS1000無(wú)塵室的新工廠。在約占新工廠1樓一半空間的無(wú)塵室,可進(jìn)行新裝置的開(kāi)發(fā)及演示實(shí)驗(yàn)。此前的裝置組裝需要在合作公司進(jìn)行,今后則可在該無(wú)塵室中進(jìn)行。
雷泰已累計(jì)供貨檢測(cè)裝置約150臺(tái)?,F(xiàn)在其中10%面向半導(dǎo)體廠商供應(yīng),供貨量急劇增加。首先將在Cu-CMP、SOI工序中采用,隨著液浸曝光技術(shù)等探討的進(jìn)一步深入,半導(dǎo)體廠商的前期工序中,晶圓周邊的檢測(cè)已不可或缺。
美國(guó)KLA-Tencor等著名檢測(cè)裝置廠商也在考慮開(kāi)發(fā)晶圓邊緣檢測(cè)裝置,今后該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)變得更加激烈。硅晶圓的檢測(cè)裝置方面,由于客戶少,所以只需要滿足信越半導(dǎo)體、SUMCO等大型廠商的需求即可。而現(xiàn)在,半導(dǎo)體廠商要檢測(cè)的項(xiàng)目開(kāi)始不斷增加,檢測(cè)對(duì)象也開(kāi)始向多樣化發(fā)展。目前,估計(jì)日本大部分半導(dǎo)體廠商的工廠里都有一臺(tái)這樣的裝置。伴隨對(duì)上述需求的滿足,通用的檢測(cè)裝置有望出現(xiàn)。
硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置此前一直主要由硅晶圓廠商使用,而最近開(kāi)發(fā)45nm工藝以及更先進(jìn)的LSI的半導(dǎo)體廠商也紛紛開(kāi)始采用。
為了滿足半導(dǎo)體廠商的新需求,從事邊緣檢測(cè)裝置業(yè)務(wù)的雷泰(RAYTEX)將公司遷移到了配有CLASS100和CLASS1000無(wú)塵室的新工廠。在約占新工廠1樓一半空間的無(wú)塵室,可進(jìn)行新裝置的開(kāi)發(fā)及演示實(shí)驗(yàn)。此前的裝置組裝需要在合作公司進(jìn)行,今后則可在該無(wú)塵室中進(jìn)行。
雷泰已累計(jì)供貨檢測(cè)裝置約150臺(tái)?,F(xiàn)在其中10%面向半導(dǎo)體廠商供應(yīng),供貨量急劇增加。首先將在Cu-CMP、SOI工序中采用,隨著液浸曝光技術(shù)等探討的進(jìn)一步深入,半導(dǎo)體廠商的前期工序中,晶圓周邊的檢測(cè)已不可或缺。
美國(guó)KLA-Tencor等著名檢測(cè)裝置廠商也在考慮開(kāi)發(fā)晶圓邊緣檢測(cè)裝置,今后該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)變得更加激烈。硅晶圓的檢測(cè)裝置方面,由于客戶少,所以只需要滿足信越半導(dǎo)體、SUMCO等大型廠商的需求即可。而現(xiàn)在,半導(dǎo)體廠商要檢測(cè)的項(xiàng)目開(kāi)始不斷增加,檢測(cè)對(duì)象也開(kāi)始向多樣化發(fā)展。目前,估計(jì)日本大部分半導(dǎo)體廠商的工廠里都有一臺(tái)這樣的裝置。伴隨對(duì)上述需求的滿足,通用的檢測(cè)裝置有望出現(xiàn)。





