【導(dǎo)讀】臺積電公布開發(fā)藍圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開始”  
    臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本橫浜市舉行了記者招待會，披露了其技術(shù)開發(fā)藍圖以及針對日本市場的措施。臺積電的孫元成（研究暨發(fā)展副總經(jīng)理 ）宣布45nm量產(chǎn)將從2007年第3季度開始。最初將采用限定式生產(chǎn)（risk production，風(fēng)險生產(chǎn)）方式，2008年下半年有可能開始正式量產(chǎn)。  

    在45nm工藝方面，臺積電打算在大致相同的時期開始量產(chǎn)邏輯、混合信號（模擬數(shù)字混載）、混載DRAM。臺積電的45nm工藝擬使用柵極長度為26nm的晶體管。6晶體管構(gòu)造的混載SRAM的存儲器單元面積在0.3μm2以下。標準單元的柵極密度為160萬柵極/mm2左右。布線層能夠支持最大10層。孫元成對更先進工藝的開發(fā)也表達了自己的看法：“45nm之后的32nm、22nm也能以與以前相同的速度，即2年1代的速度實現(xiàn)微細化”。  

    希望為日本半導(dǎo)體的復(fù)興做出貢獻  

    日本TSMC董事長馬場久雄披露了開拓日本市場的基本方針。第一項方針是為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)興做出貢獻。據(jù)馬場久雄透露，1988年全球半導(dǎo)體市場上日本企業(yè)所占比率為52％，而2005年則降至21％?！叭绻讶毡綢DM（集成元件制造商）的產(chǎn)品開發(fā)實力與臺積電的生產(chǎn)能力結(jié)合在一起，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)興是有可能的”（馬場久雄）。  

    第二項方針是對日本無工廠（Fabless）半導(dǎo)體廠商的支援。據(jù)馬場久雄透露，在全球無工廠半導(dǎo)體廠商的整體銷售額中日本企業(yè)所占比率僅為1％。雖然上升幅度很小，但日本TSMC銷售額中無工廠半導(dǎo)體業(yè)務(wù)所占比率正在上升。2006年第1季度已達到3％左右。