【導(dǎo)讀】三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍”    
    三星電子試制的512Mbit相變內(nèi)存
  
    韓國(guó)三星電子宣布，針對(duì)非揮發(fā)性內(nèi)存--相變內(nèi)存（PRAM）“開發(fā)成功了達(dá)實(shí)用水平的試制品”。計(jì)劃08年內(nèi)供應(yīng)首批產(chǎn)品，目標(biāo)是替代NOR型閃存。  

    此次，三星試制的相變內(nèi)存容量為512Mbit。通過(guò)在相變內(nèi)存中使用該公司DRAM制造中采用的3維結(jié)構(gòu)晶體管而實(shí)現(xiàn)。單元面積非常小，只有0.0467μm2。只相當(dāng)于普通NOR閃存的一半。  

    相變內(nèi)存在寫入新數(shù)據(jù)時(shí)不需要進(jìn)行擦去原數(shù)據(jù)的處理。因此，與原來(lái)的NOR型閃存相比，數(shù)據(jù)寫入的速度可達(dá)30倍。