“與三星角力不退半步!” 東芝談NAND市場(chǎng)
[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】“與三星角力不退半步!” 東芝談NAND市場(chǎng)
控制NAND閃存、NOR閃存、DRAM內(nèi)存等未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的條件是什么?在東京國(guó)際數(shù)字會(huì)議上,各內(nèi)存廠商以“內(nèi)存無(wú)線時(shí)代的挑戰(zhàn)”為題,對(duì)市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展做
【導(dǎo)讀】“與三星角力不退半步!” 東芝談NAND市場(chǎng)
控制NAND閃存、NOR閃存、DRAM內(nèi)存等未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的條件是什么?在東京國(guó)際數(shù)字會(huì)議上,各內(nèi)存廠商以“內(nèi)存無(wú)線時(shí)代的挑戰(zhàn)”為題,對(duì)市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展做了展望。
其中,值得關(guān)注的是東芝對(duì)NAND閃存市場(chǎng)所做的分析。上臺(tái)發(fā)言的是東芝半導(dǎo)體公司副社長(zhǎng)齊藤升三?!癗AND閃存的年供貨總位數(shù)已經(jīng)超過(guò)DRAM內(nèi)存”。齊藤預(yù)測(cè)說(shuō),2008年NAND閃存將發(fā)展成一個(gè)規(guī)模達(dá)3萬(wàn)億日元的大市場(chǎng)。認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模與DRAM相同、與DRAM相比位單價(jià)更便宜的NAND閃存在供貨金額方面很快也將趕上來(lái)。
關(guān)于今后的NAND閃存市場(chǎng),齊藤表示,隨著價(jià)格的走低,市場(chǎng)也將隨之迅速擴(kuò)大(圖1)。過(guò)去幾年NAND閃存的價(jià)格每年以40%的幅度下降,2005年隨著iPod nano的亮相,每年的價(jià)格降幅已達(dá)50%。照此形勢(shì)發(fā)展下去,首先是數(shù)碼攝像機(jī),接下來(lái)就將是電腦市場(chǎng)?!霸跀?shù)碼攝像機(jī)中錄1個(gè)小時(shí)的HDTV錄像所需的存儲(chǔ)容量為3G~4GB。NAND閃存應(yīng)用于數(shù)碼攝像機(jī)只是時(shí)間問(wèn)題。在電腦領(lǐng)域,閃存有可能作為SSD(固態(tài)磁盤)來(lái)使用”(齊藤說(shuō))。
隨后齊藤還對(duì)大容量化技術(shù)中的多值技術(shù)進(jìn)行了預(yù)測(cè)。齊藤表示,每單元4位的16值NAND閃存有望在2008年開(kāi)發(fā)成功(圖2)。不過(guò),隨之而來(lái)的課題則是NAND閃存的讀寫速度會(huì)下降。解決這種性能下降問(wèn)題的關(guān)鍵在于控制IC?!癗AND閃存性能的下降取決于控制IC,用戶看不出來(lái)。惟有控制IC才能成為實(shí)現(xiàn)新一代NAND閃存的關(guān)鍵元件。正因?yàn)槿绱耍?strong>東芝正在致力于控制IC的開(kāi)發(fā)”。齊藤說(shuō)。此外,在微細(xì)化方面現(xiàn)已瞄準(zhǔn)30nm,2009年下半年有望實(shí)現(xiàn)。不過(guò),30nm以后需要全新EUV曝光設(shè)備的微細(xì)化計(jì)劃尚未確定。
對(duì)于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的NAND閃存,“最重要的是產(chǎn)量”。齊藤表示,將緊追排名第1位的韓國(guó)三星電子?!?strong>NAND閃存市場(chǎng)將是我們和三星電子平分秋色”。因此,重要的是繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)開(kāi)拓。
控制NAND閃存、NOR閃存、DRAM內(nèi)存等未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的條件是什么?在東京國(guó)際數(shù)字會(huì)議上,各內(nèi)存廠商以“內(nèi)存無(wú)線時(shí)代的挑戰(zhàn)”為題,對(duì)市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展做了展望。
其中,值得關(guān)注的是東芝對(duì)NAND閃存市場(chǎng)所做的分析。上臺(tái)發(fā)言的是東芝半導(dǎo)體公司副社長(zhǎng)齊藤升三?!癗AND閃存的年供貨總位數(shù)已經(jīng)超過(guò)DRAM內(nèi)存”。齊藤預(yù)測(cè)說(shuō),2008年NAND閃存將發(fā)展成一個(gè)規(guī)模達(dá)3萬(wàn)億日元的大市場(chǎng)。認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模與DRAM相同、與DRAM相比位單價(jià)更便宜的NAND閃存在供貨金額方面很快也將趕上來(lái)。
關(guān)于今后的NAND閃存市場(chǎng),齊藤表示,隨著價(jià)格的走低,市場(chǎng)也將隨之迅速擴(kuò)大(圖1)。過(guò)去幾年NAND閃存的價(jià)格每年以40%的幅度下降,2005年隨著iPod nano的亮相,每年的價(jià)格降幅已達(dá)50%。照此形勢(shì)發(fā)展下去,首先是數(shù)碼攝像機(jī),接下來(lái)就將是電腦市場(chǎng)?!霸跀?shù)碼攝像機(jī)中錄1個(gè)小時(shí)的HDTV錄像所需的存儲(chǔ)容量為3G~4GB。NAND閃存應(yīng)用于數(shù)碼攝像機(jī)只是時(shí)間問(wèn)題。在電腦領(lǐng)域,閃存有可能作為SSD(固態(tài)磁盤)來(lái)使用”(齊藤說(shuō))。
隨后齊藤還對(duì)大容量化技術(shù)中的多值技術(shù)進(jìn)行了預(yù)測(cè)。齊藤表示,每單元4位的16值NAND閃存有望在2008年開(kāi)發(fā)成功(圖2)。不過(guò),隨之而來(lái)的課題則是NAND閃存的讀寫速度會(huì)下降。解決這種性能下降問(wèn)題的關(guān)鍵在于控制IC?!癗AND閃存性能的下降取決于控制IC,用戶看不出來(lái)。惟有控制IC才能成為實(shí)現(xiàn)新一代NAND閃存的關(guān)鍵元件。正因?yàn)槿绱耍?strong>東芝正在致力于控制IC的開(kāi)發(fā)”。齊藤說(shuō)。此外,在微細(xì)化方面現(xiàn)已瞄準(zhǔn)30nm,2009年下半年有望實(shí)現(xiàn)。不過(guò),30nm以后需要全新EUV曝光設(shè)備的微細(xì)化計(jì)劃尚未確定。
對(duì)于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的NAND閃存,“最重要的是產(chǎn)量”。齊藤表示,將緊追排名第1位的韓國(guó)三星電子?!?strong>NAND閃存市場(chǎng)將是我們和三星電子平分秋色”。因此,重要的是繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)開(kāi)拓。





