【導讀】海力士再加碼　今年資本支出破40億美元                    擴充內(nèi)存芯片生產(chǎn)設備　尋求更多合作伙伴 　  根據(jù)外電報導，韓內(nèi)存大廠海力士（Hynix）宣布將再加碼投資擴產(chǎn)，繼續(xù)提高2006年的資本支出，從原先的3.6兆韓元（約37.5億美元），增加到4兆韓元（約41.7億美元），以擴充內(nèi)存芯片生產(chǎn)設備，海力士也希望尋求更多的合作伙伴。   　  海力士在2006年6月就已經(jīng)發(fā)行過新股籌措資金，近期則在8月初宣布將投資1.26兆韓元（約13億美元），擴充及升級內(nèi)存產(chǎn)能及相關研發(fā)實力，其中一部份投資額將作為NAND型閃存（Flash）產(chǎn)線導入60奈米制程之用。如今預計將再發(fā)行4億美元的可轉(zhuǎn)換公司債，不過確切時間未定。   　  海力士策略發(fā)展資深副總裁O.C. Kwon表示，海力士預計大陸12吋新廠在2007年初提前量產(chǎn)NAND型Flash，目前正加緊腳步推動中。而該公司在江蘇省無錫與意法半導體（STMicroelectronics）合資成立的晶圓廠，以生產(chǎn)DRAM為主。他表示，NAND型Flash將在9月提高合約價，并預期10月、11月的價格會趨于穩(wěn)定。   　  Kwon進一步強調(diào)，由于微軟（Microsoft）的新操作系統(tǒng)Vista即將上市，執(zhí)行Vista計算機將會需要較多的內(nèi)存容量，現(xiàn)階段的DRAM需求上升，而內(nèi)存廠為了因應需求而進行轉(zhuǎn)換制程仍碰到一些問題。所以當目前DRAM需求超乎預期時，海力士將會調(diào)整原本DRAM與NAND型Flash 6：4的產(chǎn)能分配，持續(xù)增加DRAM產(chǎn)出比重。   　  另外，Kwon透露，海力士將會增加策略合作的伙伴，以強化該公司的營運與競爭力。目前海力士與意法、臺廠茂德為合作伙伴，Kwon表示，由于這個產(chǎn)業(yè)的資本投入相當龐大并且技術(shù)持續(xù)在進步與變革，將會尋求合作對象共同投資設廠。