為證明自己在全球晶圓代工的領(lǐng)先地位，三星電子(Samsung Electronics)與臺(tái)積電不約而同在2017國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)發(fā)表了各自最新的制程技術(shù)，然而2家廠商透露了相當(dāng)不同的7奈米制程發(fā)展方向。

根據(jù)EE Times報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電贏得了蘋果(Apple) iPhone SoC大部分的訂單后，積極于2017年投入了10奈米晶片的量產(chǎn)推進(jìn)，并預(yù)計(jì)于2018年開始提升7奈米晶片的產(chǎn)量，以應(yīng)付iPhone 8(暫訂)的需求。另一方面，沒有了蘋果訂單的壓力，三星不需急于投入7奈米制程，而是打算借由極紫外光顯影技術(shù)(EUV)展現(xiàn)晶圓代工實(shí)力。

SRAM被視為是推動(dòng)下一代節(jié)點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵。臺(tái)積電在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM測(cè)試晶片，存儲(chǔ)單元(bit-cell)面積僅有0.027平方公厘，是2017年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的SRAM當(dāng)中，體積最小的。其SRAM巨集將使用7層金屬層，晶?？偯娣e為42平方公厘，比臺(tái)積電的16奈米版本小了0.34倍。

更重要的是，臺(tái)積電表示其以7奈米制程打造的SRAM測(cè)試晶片，其良率已經(jīng)展現(xiàn)相當(dāng)水準(zhǔn)，達(dá)成臺(tái)積電的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

三星的技術(shù)進(jìn)展則是側(cè)重在研究方面。三星發(fā)展出了一套創(chuàng)新的修復(fù)程序，并分別針對(duì)既有曝光機(jī)與EUV設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果證實(shí)EUV的確擁有較佳的表現(xiàn)。

然而修復(fù)程序并不是生產(chǎn)流程的一部分，因此無(wú)法說明三星是否已準(zhǔn)備好將EUV應(yīng)用在7奈米制程。三星在大會(huì)上發(fā)表的8 Mb測(cè)試SRAM晶片，也未使用EUV。

專家認(rèn)為到了2020年，EUV便可應(yīng)用在某些關(guān)鍵層上。三星曾在2016年底時(shí)表示，他們將會(huì)把EUV運(yùn)用在7奈米制程，但并未透露使用的范圍。

三星的7奈米時(shí)程或許會(huì)落后臺(tái)積電1到3年，但三星的7奈米一旦起步，就可透過導(dǎo)入EUV的使用，至少在行銷策略上取得更大的優(yōu)勢(shì)，三星打的算盤類似2015年臺(tái)積電16奈米制程與三星14奈米制程代工iPhone AP之對(duì)壘一般，臺(tái)積電的16奈米制程打造的iPhone系統(tǒng)單晶片，其實(shí)在散熱方面更優(yōu)于三星一籌，但外行人卻從奈米制程表面的數(shù)字，以為臺(tái)積電制程技術(shù)落后于三星。