半導(dǎo)體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代，第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為主導(dǎo)，目前，95%的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都是硅材料制作。20 世紀(jì) 90 年代以來，光纖通訊和互聯(lián)網(wǎng)的高速發(fā)展，促進(jìn)了以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于通訊、光通信、GPS 導(dǎo)航等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3 電子伏特(eV)，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體材料及用途(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場高速增長。半導(dǎo)體材料市場會根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的變化而變化。目前，2015 年全球半導(dǎo)體材料市場產(chǎn)值已達(dá)到 434 億美元，約占據(jù)整體產(chǎn)業(yè)的 13%，其規(guī)模巨大。國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場近年來受產(chǎn)業(yè)鏈增長拉動，半導(dǎo)體材料銷售額保持較高增速，2006-2015 年保持平均 14%的增長率。2015 年已經(jīng)達(dá)到 61.2 億美元的規(guī)模，且占有率有持續(xù)增長的趨勢。預(yù)計隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移，日本、臺灣等占有率將有所下降，而大陸半導(dǎo)體材料市場將會進(jìn)一步擴(kuò)大。

2010-2015年全球半導(dǎo)體材料市場銷售額(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

2015 年全球各地區(qū)半導(dǎo)體材料市場占比(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

主攻新一代半導(dǎo)體材料及集成電路。我國第一代、第二代半導(dǎo)體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)與國際水平差距較大，而在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國際先進(jìn)水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進(jìn)而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢的階段，并且有機(jī)會實現(xiàn)超越。

新一代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域廣泛 ，潛在市場空間大。第二\三代半導(dǎo)體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術(shù)的革命，無論是通信、照明、消費電子設(shè)備、新能源汽車、智能電網(wǎng)、還是軍工用品，都對這種高性能的半導(dǎo)體材料有著極大的需求。未來第三代半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用將催生我國多個領(lǐng)域的潛在市場，屆時將產(chǎn)生巨大的市場應(yīng)用空間。

砷化鎵微波功率半導(dǎo)體各應(yīng)用領(lǐng)域占比(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

通信應(yīng)用 ：5G技術(shù)引領(lǐng)通信革命，推動砷化鎵半導(dǎo)體市場

通信技術(shù)更新?lián)Q代，傳輸速度呈數(shù)量級增長 。從上世紀(jì) 80 年代至今，每一代移動通信標(biāo)準(zhǔn)都有著其標(biāo)志性的能力指標(biāo)和核心關(guān)鍵技術(shù)。1G 只能提供模擬語音業(yè)務(wù);2G的 GSM 網(wǎng)絡(luò)可提供數(shù)字語音和低速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù);3G 以 CDMA 為技術(shù)特征，用戶峰值速率達(dá)到 2Mbps 至數(shù)十 Mbps，可以支持多媒體數(shù)據(jù)業(yè)務(wù);4G LTE 網(wǎng)絡(luò)用戶峰值速率可達(dá) 100Mbps 以上，能夠支持各種移動寬帶數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。

5G 技術(shù)將引領(lǐng)新革命。相比前四代通訊技術(shù)，5G 網(wǎng)絡(luò)的變革將更加全面，在進(jìn)一步提高通訊傳輸速度的同時，更加強調(diào)連續(xù)廣域覆蓋、熱點高容量、低時延高可靠和低功耗大連接等場景下的技術(shù)需求，為進(jìn)一步升級的移動互聯(lián)網(wǎng)市場，和新興的物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、智能制造、虛擬現(xiàn)實等市場提供多元化的技術(shù)方案。目前國際主流的行業(yè)組織、運營商、設(shè)備廠商和芯片廠商都在積極投入 5G 標(biāo)準(zhǔn)的制定，預(yù)計到 2020 年前后，5G 網(wǎng)絡(luò)將實現(xiàn)商用。

歷代通訊技術(shù)發(fā)展(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

5G 技術(shù)需要海量新型半導(dǎo)體產(chǎn)品支撐 。每一代通訊標(biāo)準(zhǔn)的升級都伴隨著通訊芯片廠商的起起落落，如 3G 網(wǎng)絡(luò)直接帶來了高通的崛起，同時也伴隨著摩托羅拉通訊芯片業(yè)務(wù)(后拆分為 Freescale)的衰落;4G 時代，高通、聯(lián)發(fā)科、海思、展訊等茁壯成長。

未來，5G 網(wǎng)絡(luò)的商用必然將催生移動通信芯片升級換代的海量市場，同時也將帶來通訊芯片市場版圖的巨大變化。5G 技術(shù)高速率和低延遲的要求，對化合物半導(dǎo)體提出了新的需求。比如功率、線性度、工作頻率、效率、可靠性等都需要達(dá)到極高的標(biāo)準(zhǔn)。由于 5G 通信全頻帶通信的特性，5G 手機(jī)中射頻前端芯片數(shù)量將進(jìn)一步增加，帶動以 GaAs 為代表的第二/三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。具體到實踐當(dāng)中，可以從設(shè)備端和基站端兩分析?；径诵枨?。5G 實際應(yīng)用中，帶相控陣天線的手機(jī)將發(fā)射信號給基站和微蜂窩基站，基站和微蜂窩基站將與相控陣天線對接以實現(xiàn)信號連接。基站使用的射頻功率管一般采用 LDMOS 工藝，但現(xiàn)在 LDMOS 工藝正在被氮化鎵(GaN)工藝取代。GaN 是寬禁帶材料，意味著 GaN 能夠耐受更高的電壓，有更高的功率密度和可工作溫度更高，能夠滿足 5G 通信基站的要求。

同時，5G 采用高頻頻譜雖然能提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，但這一頻段的電磁波傳輸距離很短，且容易被障礙物阻擋。因而移動運營商可能需要建設(shè)數(shù)百萬個小型基站，將其部署至每根電線桿、每棟大樓，每戶房屋，甚至每個房間，這也就意味著基于 GaN的 PA 芯片需求將出現(xiàn)飛躍增長。根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Yole 的估計，GaN 功率器件需求有望在今后 5 年內(nèi)爆發(fā)，復(fù)合增長率可達(dá) 90%以上。

手機(jī)端需求 。4G 手機(jī)中數(shù)字電路部分包括應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器，射頻前端則包括功率放大器(PA)、射頻信號源和模擬開關(guān)。功率放大器通常采用砷化鎵(GaAs)材料的異質(zhì)結(jié)型晶體管(HBT)技術(shù)制造。未來的 5G 手機(jī)也要有應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器。不過與 4G 系統(tǒng)不同，5G 手機(jī)還需要相控陣天線，每根天線都有獨立的 PA 和移相器，并與一個覆蓋整個工作頻率的信號收發(fā)器相連，相應(yīng)的半導(dǎo)體器件需求將會更大。

2015 年全球智能手機(jī)銷量達(dá) 14.3 億部， 中國智能手機(jī)出貨量達(dá) 5.39 億部。根據(jù)估算，2016 年度全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計達(dá)到 15 部，手機(jī)砷化鎵功率元件需求量超過 160 億只，國內(nèi)手機(jī)市場砷化鎵元件需求量接近 60 億只。未來隨著 4G 手機(jī)滲透率的不斷提升和 5G 技術(shù)的商用化，手機(jī)用砷化鎵元件還將不斷增長。

2013-2017E年全球鎵砷化鎵 PA市場規(guī)模(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)

2013-2017E年鎵中國砷化鎵PA 市場規(guī)模(數(shù)據(jù)來源：公開資料整理)