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[導(dǎo)讀]ROHM集團旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體面向需要高速高頻率的日志數(shù)據(jù)獲取和緊急時高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表/計量設(shè)備/醫(yī)療設(shè)備/金融終端等,開發(fā)出1Mbit鐵電存儲器(以下簡稱“FeRAM”注1)“MR45V100A / MR44V100A”,并即將于2017年12月開始量產(chǎn)銷售。

ROHM集團旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體面向需要高速高頻率的日志數(shù)據(jù)獲取和緊急時高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表/計量設(shè)備/醫(yī)療設(shè)備/金融終端等,開發(fā)出1Mbit鐵電存儲器(以下簡稱“FeRAM”注1)“MR45V100A / MR44V100A”,并即將于2017年12月開始量產(chǎn)銷售。

“MR45V100A”作為SPI注2總線產(chǎn)品,在1.8V~3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)均實現(xiàn)40MHz的高速工作。這使得該款產(chǎn)品作為大容量的1Mbit FeRAM,在諸如不穩(wěn)定的電源環(huán)境下的電壓急劇下降時也可高速穩(wěn)定工作,其高速數(shù)據(jù)備份功能有助于提高配套應(yīng)用的可靠性。而“MR44V100A”作為不同的串行總線I2C注3總線產(chǎn)品,則非常適用于不需要速度的應(yīng)用。

另外,為了滿足移動應(yīng)用需求,改進了待機(待機)模式,同時還首次在藍(lán)碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式,以限制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。在1Mbit FeRAM中分別實現(xiàn)了業(yè)界最小級別※的待機電流10µA(平均)和睡眠電流0.1µA(平均),使產(chǎn)品還可用于重視電池驅(qū)動時間的支付終端和數(shù)據(jù)記錄儀等手持終端和移動設(shè)備/終端。

目前本LSI的樣品正在銷售中,預(yù)計于2017年12月開始量產(chǎn)并批量供貨。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部(日本京都),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)。

<背景>

非易失性存儲器FeRAM與EEPROM和FLASH存儲器等非易失性存儲器相比,具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”“耐擦寫性能優(yōu)異”“低功耗”等特點。

藍(lán)碧石半導(dǎo)體凝聚ROHM的鐵電存儲器制造技術(shù)和藍(lán)碧石的存儲器開發(fā)技術(shù)優(yōu)勢,從2011年開始致力于各種容量和接口的FeRAM開發(fā)。產(chǎn)品已被需要非易失且高速高頻率數(shù)據(jù)擦寫的多功能打印機、汽車配件、FA(Factory Automation)設(shè)備等廣為采用。

近年來,電子設(shè)備對于數(shù)據(jù)規(guī)模增加、更低功耗、移動應(yīng)用、瞬間停電等緊急情況下的數(shù)據(jù)安全性提升要求越來越高。藍(lán)碧石半導(dǎo)體為滿足這些需求,致力于實現(xiàn)更大容量、更寬電源電壓范圍和高速工作兼?zhèn)?、更低功?包括待機/休眠時在內(nèi))的產(chǎn)品,并成功開發(fā)出有望應(yīng)用到電池驅(qū)動的移動設(shè)備/終端等的FeRAM。

<特點>

1.可在 1.8V~3.6V的更寬范圍內(nèi)40MHz工作

FeRAM與EEPROM、FLASH存儲器等非易失存儲器相比,可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)擦寫并低電壓工作,因而具有即使在寫入過程中發(fā)生瞬間電壓下降或停電,數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險也較低的特點。

“MR45V100A”作為SPI總線產(chǎn)品,與藍(lán)碧石以往產(chǎn)品64Kbit FeRAM“MR45V064B”同樣在1.8V~3.6V的整個電源電壓范圍內(nèi)確保40MHz工作,性能同等,但容量更大,達(dá)1Mbit。因而在要求高安全性的應(yīng)用中,可直接處理更大規(guī)模的數(shù)據(jù)。

2. 作為大容量FeRAM,實現(xiàn)業(yè)界最小級別的待機/休眠電流

在電子設(shè)備中,低功耗要求越來越高,一般采用比如使系統(tǒng)運轉(zhuǎn)過程中無需工作的部件轉(zhuǎn)入低電流模式,以降低設(shè)備整體平均功耗等手法來實現(xiàn)低功耗。

在這種背景下,MR45V100A / MR44V100A通過以下特點來降低電子設(shè)備的系統(tǒng)功耗,抑制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。

① 改進待機模式,實現(xiàn)1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級別的10µA待機電流

待機(Standby)模式時徹底關(guān)斷無需工作的電路的電源,當(dāng)工作恢復(fù)時僅所需部分快速初始化,從而有效抑制住電流消耗。由此實現(xiàn)了平均10μA的1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級別※的待機電流。

② 搭載睡眠模式,實現(xiàn)業(yè)界最小級別的0.1µA睡眠電流和最短睡眠模式恢復(fù)時間

藍(lán)碧石首家搭載了比傳統(tǒng)待機(Standby)模式功耗低幾個數(shù)量級的的睡眠(休眠)模式,而且睡眠模式下的平均消耗電流僅為0.1μA,屬于業(yè)界最小級別※。不僅如此,從睡眠模式的恢復(fù)時間僅為100μs,為業(yè)界最短※,從而在希望休眠時間要短的應(yīng)用中也可適用睡眠模式。

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