受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) IC insight 調(diào)查報(bào)告指出，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。

報(bào)告中表示，之前在 2018 年 3 月份，IC insight 曾經(jīng)預(yù)期 2018 年全年半導(dǎo)體的資本支出將成長(zhǎng) 8%。如今，才不到一季的時(shí)間，IC insigh 就把預(yù)估值由原本的 8% 上調(diào)至 14%。這樣看來(lái)，2018 年全年的半導(dǎo)體支出將首次破千億美元大關(guān)，而且金額將比 2016 年足足成長(zhǎng) 53%。

報(bào)告中進(jìn)一步指出，近兩年來(lái)始終位居半導(dǎo)體資本支出龍頭的韓國(guó)三星，雖然 2018 年還未公布全年的資本支出金額，但是一般相信，將不會(huì)超出 2017 年 242 億美元的數(shù)字。不過(guò)，就目前的觀察，三星仍在上緊發(fā)條不放松。

事實(shí)上，三星在 2018 年第 1 季的半導(dǎo)體資本支出達(dá)到 67.2 億美元，較之前 3 季水平略高。但是，若相較 2016 年同期，則已經(jīng)成長(zhǎng)近 4 倍的規(guī)模。累計(jì)過(guò)去 4 季以來(lái)，三星半導(dǎo)體部門(mén)的資本支出已經(jīng)達(dá)到 266 億美元的金額。

IC insight 預(yù)期，2018 年三星半導(dǎo)體的資本支出將在 200 億元上下，略低于 2017 年 242 億美元。不過(guò)，因?yàn)?2018 年首季就有較之前略高的成長(zhǎng)。因此，最后的結(jié)果很 可能將比預(yù)期的 200 億美元來(lái)的高。

另外，因?yàn)?NAND Flash 及 DRAM 的市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士預(yù)期也將在 2018 年增加資本支出至 115 億美元，較 2017 年的 81 億美元成長(zhǎng) 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的資本支出，將主用于在韓國(guó)清州兩家大型存儲(chǔ)器工廠的建置工作上。另外，還要擴(kuò)大中國(guó)無(wú)錫的 DRAM 工廠。清州工廠在 2018 年年底前將開(kāi)始興建，而中國(guó)無(wú)錫 DRAM 廠的擴(kuò)建，也計(jì)劃在2018年年底前動(dòng)工，這時(shí)間將比原計(jì)劃的 2019 年初開(kāi)工要早幾個(gè)月。