報道稱，存儲芯片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。

近日，紫光集團旗下長江存儲近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層三維閃存(3D NAND)，容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求，這也是中國首款64層三維閃存芯片,業(yè)界預測，長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存，實現(xiàn)彎道超車。

據(jù)香港《大公報》近日報道，長江存儲官網(wǎng)消息，上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會紫光集團展臺。

所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結構提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。

縮短產(chǎn)品上市周期

報道指出，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲密度。創(chuàng)新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長江存儲相關負責人向《大公報》表示，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術差距縮短到兩年以內。

明年底月產(chǎn)六萬片晶圓

業(yè)界有關人士分析，長江儲存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預計2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。

據(jù)報道，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。

據(jù)悉，長江存儲已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關產(chǎn)品將被廣泛應用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京表示，長江存儲進入到這個領域之前，國內一直沒有大規(guī)模存儲芯片的生產(chǎn)，未來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對數(shù)據(jù)存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，它的量產(chǎn)也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步，把中國產(chǎn)品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術差距縮短到兩年以內，被視為中國打破美日韓壟斷關鍵一戰(zhàn)。