大手筆！三星電子閃存芯片項目二期規(guī)模達(dá)150億美元
[導(dǎo)讀]近日，三星電子決定將對其中國西安芯片工廠增加80億美元的投資。此次投資是三星西安閃存芯片項目二期的第二階段投資，而第一階段投資約為70億美元。
為促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)，三星電子日前啟動了芯片項目二期第二階段的投資。
據(jù)悉，位于中國陜西西安高新綜合保稅區(qū)的二期項目總投資為150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約為70億美元，將于2020年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資約為80億美元，將于2021年下半年竣工。預(yù)計二期項目建成后，三星電子閃存芯片項目每月產(chǎn)能將新增13萬片、產(chǎn)值將新增300億元。
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