TSV技術(shù)擴大異種芯片封裝應用恐撼動市場版圖
[導讀]直通矽穿孔(TSV)封裝時代即將來臨，將撼動現(xiàn)有的半導體市場版圖。過去TSV技術(shù)只能堆疊DRAM、CMOS影像感測器(CIS)等同種芯片，但目前已進化到可堆疊系統(tǒng)芯片與記憶體、系統(tǒng)芯片與系統(tǒng)芯片等，封裝異種芯片。TSV半導體
直通矽穿孔(TSV)封裝時代即將來臨，將撼動現(xiàn)有的半導體市場版圖。過去TSV技術(shù)只能堆疊DRAM、CMOS影像感測器(CIS)等同種芯片，但目前已進化到可堆疊系統(tǒng)芯片與記憶體、系統(tǒng)芯片與系統(tǒng)芯片等，封裝異種芯片。TSV半導體目前仍未有明確的標準，但可在初期掌握技術(shù)主導權(quán)的企業(yè)，就有機會主導從系統(tǒng)芯片到記憶體的整個半導體市場。
記憶體、系統(tǒng)芯片、晶圓代工、后段制程業(yè)者間，將更積極爭奪TSV市場主導權(quán)。據(jù)ETNews報導，近來三星電子(SamsungElectronics)研發(fā)出將移動應用處理器(AP)和記憶體以TSV載板(interposer)方式堆疊的2.5D產(chǎn)品。最快2014年內(nèi)可推出1~2項產(chǎn)品。三星2011年公開4層堆疊的30納米級4GbDDR3DRAM產(chǎn)品后，仍持續(xù)累積TSV技術(shù)實力。
南韓業(yè)者表示，三星除記憶體外也生產(chǎn)AP等系統(tǒng)芯片，因而確保半導體從前段到后段制程所必要的技術(shù)。TSV市場若正式成形，將對三星形成有利的局勢。為確保異種芯片TSV技術(shù)，記憶體業(yè)者和系統(tǒng)芯片業(yè)者間的合縱連橫也開始活躍。
韓系半導體大廠SK海力士(SKHynix)和AMD攜手研發(fā)將29納米DRAM4層堆疊的圖形處理用高頻寬記憶體(HighBandwidthMemory；HBM)，并將于2014年9月公開樣品。該產(chǎn)品的目標為移動裝置、伺服器市場。系統(tǒng)芯片龍頭高通(Qualcomm)和英特爾(Intel)近來也與多間記憶體業(yè)者攜手合作，加速研發(fā)異種芯片TSV產(chǎn)品。美光(Micron)和爾必達(Elpida)晚一步尋求系統(tǒng)芯片業(yè)者的合作，正極力確保異種芯片TSV技術(shù)，近來已發(fā)包晶圓接合(waferbonding)和剝離(debonding)設備，及導孔蝕刻設備。
2015年初將以網(wǎng)路市場為目標，公開TSV產(chǎn)品。南韓證券分析師表示，想實現(xiàn)異種芯片TSV封裝，必須經(jīng)過形成絕緣層、注入銅、晶圓研磨、封測等多元制程，為高難度技術(shù)。初期在市場上制程競爭力具優(yōu)勢，能提升需求的綜合半導體業(yè)者，將居有利位置。
記憶體、系統(tǒng)芯片、晶圓代工、后段制程業(yè)者間，將更積極爭奪TSV市場主導權(quán)。據(jù)ETNews報導，近來三星電子(SamsungElectronics)研發(fā)出將移動應用處理器(AP)和記憶體以TSV載板(interposer)方式堆疊的2.5D產(chǎn)品。最快2014年內(nèi)可推出1~2項產(chǎn)品。三星2011年公開4層堆疊的30納米級4GbDDR3DRAM產(chǎn)品后，仍持續(xù)累積TSV技術(shù)實力。
南韓業(yè)者表示，三星除記憶體外也生產(chǎn)AP等系統(tǒng)芯片，因而確保半導體從前段到后段制程所必要的技術(shù)。TSV市場若正式成形，將對三星形成有利的局勢。為確保異種芯片TSV技術(shù)，記憶體業(yè)者和系統(tǒng)芯片業(yè)者間的合縱連橫也開始活躍。
韓系半導體大廠SK海力士(SKHynix)和AMD攜手研發(fā)將29納米DRAM4層堆疊的圖形處理用高頻寬記憶體(HighBandwidthMemory；HBM)，并將于2014年9月公開樣品。該產(chǎn)品的目標為移動裝置、伺服器市場。系統(tǒng)芯片龍頭高通(Qualcomm)和英特爾(Intel)近來也與多間記憶體業(yè)者攜手合作，加速研發(fā)異種芯片TSV產(chǎn)品。美光(Micron)和爾必達(Elpida)晚一步尋求系統(tǒng)芯片業(yè)者的合作，正極力確保異種芯片TSV技術(shù)，近來已發(fā)包晶圓接合(waferbonding)和剝離(debonding)設備，及導孔蝕刻設備。
2015年初將以網(wǎng)路市場為目標，公開TSV產(chǎn)品。南韓證券分析師表示，想實現(xiàn)異種芯片TSV封裝，必須經(jīng)過形成絕緣層、注入銅、晶圓研磨、封測等多元制程，為高難度技術(shù)。初期在市場上制程競爭力具優(yōu)勢，能提升需求的綜合半導體業(yè)者，將居有利位置。
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