據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國透明度市場研究公司近日發(fā)布研究報告稱，2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場產(chǎn)值為3.7982億美元，并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中，軍事國防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場的最高份額。

報告稱，2013～2019年的復(fù)合年增長率也將達(dá)到24.6%。美國在全球氮化鎵器件市場中占據(jù)最大份額，2012年達(dá)到32.1%，其次分別是歐洲、亞洲和世界其他地區(qū)。而亞洲由于電子產(chǎn)業(yè)的快速增長，將是氮化鎵半導(dǎo)體器件市場增長最快的地方，2013～2019年的復(fù)合年增長率預(yù)計將達(dá)到27.7%。

由于對高速、高溫和大功率半導(dǎo)體器件需求的不斷增長，使得半導(dǎo)體業(yè)重新考慮半導(dǎo)體所用設(shè)計和材料。隨著多種更快、更小計算器件的不斷涌現(xiàn)，硅材料已難以維持摩爾定律。由于氮化鎵材料所具有的獨特優(yōu)勢，如噪聲系數(shù)優(yōu)良、最大電流高、擊穿電壓高、振蕩頻率高等，為多種應(yīng)用提供了獨特的選擇，如軍事、宇航和國防、汽車領(lǐng)域，以及工業(yè)、太陽能、發(fā)電和風(fēng)力等高功率領(lǐng)域。氮化鎵具有比硅更高的能效，因此所需熱沉數(shù)量少于硅。應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展和軍事需求的增加是驅(qū)動氮化鎵半導(dǎo)體器件市場增長的主要力量。需求量的增加主要是由于氮化鎵器件所能帶來的在器件重量和尺寸方面的顯著改進(jìn)。另外，氮化鎵器件擊穿電壓的提升有望推動氮化鎵在電動車輛中的使用量。

2012年，由于氮化鎵光電半導(dǎo)體在軍事、宇航、國防和消費電子的使用，使得光電半導(dǎo)體成為全球氮化鎵半導(dǎo)體器件市場的主要產(chǎn)品類型，并占據(jù)市場的96.6%。其中功率半導(dǎo)體器件將隨著工業(yè)應(yīng)用對大功率器件需求的增長成為未來增長速度最快的器件。

在各種應(yīng)用中，軍事，國防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場的最高份額，2012年達(dá)到8168萬美元。消費類電子是第二大應(yīng)用領(lǐng)域，之后是信息通信技術(shù)（ICT）和汽車應(yīng)用。隨著4G網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，對高功率晶體管和基站的需求預(yù)計將增加。因此，ICT行業(yè)對氮化鎵功率半導(dǎo)體的需求將以最快的速率增長。

全球光子集成電路市場呈現(xiàn)分散和競爭激烈的態(tài)勢。主要的行業(yè)參與者包括日本的富士通（Fujitsu）公司、日亞化學(xué)工業(yè)株式會社、加拿大的氮化鎵系統(tǒng)（GaNSystem）公司、美國的飛思卡爾（Freescale）半導(dǎo)體公司、國際整流器（IR）公司、科瑞（Cree）公司、射頻微系統(tǒng)公司等。