全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，在NANDFlash業(yè)者原先對于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響NAND產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季NANDFlash品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6，800萬美元。

2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較2012年同期增加16%；DRAMeXchange表示，隨著先進制程的良率改善與快速導入嵌入式產(chǎn)品，整體產(chǎn)業(yè)依舊維持穩(wěn)健向上的格局。

以第四季NANDFlash品牌廠商營收排行來看，三星(Samsung)營收為24億5千7百萬美元，市占率小幅提升至39.8%，維持領(lǐng)先；東芝(Toshiba)營收約為15億4，200萬美元，市占率小幅衰退至25%，排名第二；美光(Micron)營收為9億5，700萬美元，排名第三。排名第四的SK海力士受到無錫廠火災后部分NAND產(chǎn)能挪移至DRAM，營收下滑至7億3，000萬美元，市占率為11.8%；英特爾(Intel)排名第五，營收為4億8，700萬美元，市占率為7.8%。

三星電子高階智慧型手機出貨不如預期影響相關(guān)MobileNAND表現(xiàn)，第四季NANDFlash季營收僅較第三季增加1.8%，第四季平均銷售單價下滑接近10%，單季位元出貨也僅有5%的成長。在制程轉(zhuǎn)進上，三星電子現(xiàn)階段的eMMC、eMCP與SSD全力轉(zhuǎn)進19奈米外，3-bitMLC的嵌入式應用也已順利打入幾個主要個人電腦與手機制造商的供應鏈。

而三星先進制程1Z奈米的產(chǎn)品也預計將從第二季開始量產(chǎn)、3D-NAND的企業(yè)級固態(tài)硬碟則是已經(jīng)在第四季順利送樣給云端運算供應商測試，未來生產(chǎn)3D-NANDFlash的基地主要將放在本季開始運轉(zhuǎn)的中國西安廠，考量到云端運算所帶動伺服器固態(tài)硬碟的需求強勁，三星2014年NANDFlash的策略重點將從過去以行動裝置為主的eMMC，轉(zhuǎn)向企業(yè)級固態(tài)硬碟。

東芝電子第四季受到旺季不旺影響，NANDFlash營收較第三季衰退將近15%，達到15.42億美元，主要策略性客戶出貨表現(xiàn)不如預期；而第四季供過于求的市況也讓平均銷售單價跌幅高于預期，營收衰退的幅度較為明顯。

從制程轉(zhuǎn)進的角度來看，第四季東芝順利從19奈米轉(zhuǎn)往A-19奈米后，產(chǎn)出比重與良率可望自本季開始逐月改善，A-19奈米的嵌入式產(chǎn)品(EmbeddedProduct)也將從第二季開始量產(chǎn)，將有機會帶動營收成長；同時東芝為了分散客戶過度集中的風險，積極爭取更多筆電與行動裝置OEM訂單。

根據(jù)SK海力士第四季營運報告，受到2013年9月份無錫廠火災后產(chǎn)能移轉(zhuǎn)的影響，SK海力士第四季NANDFlash營收為7.3億美元，較第三季衰退17%，位元出貨量也因此季減14%，而SK海力士第四季平均銷售單價較第三季下滑5%，主要因素來自于高容量eMMC的銷售比重持續(xù)攀升的關(guān)系。

TrendForce預期海力士因火災移轉(zhuǎn)到DRAM的NANDFlash產(chǎn)能將自今年第一季開始逐步回升，目標將在下半年之前恢復到去年火災前的水準。在策略上，SK海力士的16奈米eMCP與eMMC也已開始送樣，預估自第二季開始量產(chǎn)。同時海力士也將加速自行開發(fā)相關(guān)的NANDFlash控制晶片來提升eMMC與SSD的產(chǎn)品競爭力。