北京時間2013年12月20日下午消息，根據(jù)一項報告，英特爾(25.05,-0.09,-0.34%)公司下一代Broadwell架構(gòu)芯片的高性能版本將擁有18內(nèi)核，其將成為英特爾公司迄今為止內(nèi)核數(shù)最多的芯片。同時，另一份報告指出下一代Broadwell架構(gòu)芯片將廣泛應(yīng)用于平板電腦。

新加坡虛實區(qū)域(Vr-zone)網(wǎng)站本周報道稱，英特爾計劃基于其即將發(fā)布的14納米工藝流程開發(fā)下一代擁有18內(nèi)核的Broadwell-EP或EX架構(gòu)至強芯片。

虛實區(qū)域網(wǎng)站稱：“英特爾公司并沒有提高芯片速度，只不過在單個芯片或晶片中布置更多的芯片。虛實區(qū)域同時發(fā)布了一組據(jù)稱為英特爾公司產(chǎn)品開發(fā)未來藍圖的幻燈片。

根據(jù)虛實區(qū)域網(wǎng)站的消息，下一代多核芯片在2015年之前不會面世。

該網(wǎng)站還稱英特爾公司正在計劃醞釀開發(fā)一款用于臺式機和計算機工作站的擁有8到10內(nèi)核數(shù)的高性能處理器。

首個Broadwell架構(gòu)芯片預(yù)計將在明年上半年問世。Broadwell架構(gòu)芯片基于當前第四代酷睿(Haswell)處理器設(shè)計。目前英特爾芯片內(nèi)核數(shù)量為12，穩(wěn)居第一。

如果軟件能夠充分利用新增的內(nèi)核容量，則新增的處理器內(nèi)核將會為計算機帶來更強大的處理性能。

不過，這并不是英特爾計劃開發(fā)Broadwell架構(gòu)芯片的全部初衷。中央處理器世界(CPUWorld)網(wǎng)站報道，在處理器產(chǎn)品系列的另一端，下一代耗能的Broadwell架構(gòu)芯片可能擁有低至4.5瓦的熱封套。

這將使得Broadwell架構(gòu)芯片很容易應(yīng)用于平板電腦以及一體機——這是英特爾最近一直非常關(guān)注的市場。

英特爾公司拒絕對上述報道發(fā)表評論。