國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）最新統(tǒng)計(jì)，今年全球晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)325億美元（約新臺(tái)幣9,720億元），較去年成長(zhǎng)2%，而明年預(yù)估將有23%至27%的兩位數(shù)驚人成長(zhǎng)，達(dá)410億美元（約新臺(tái)幣1.2兆元），創(chuàng)下歷史高點(diǎn)。

其中，2013年最大的晶圓廠設(shè)備支出來(lái)自于晶圓代工產(chǎn)業(yè)，該產(chǎn)業(yè)今年晶圓設(shè)備支出年增率高達(dá)21％，主要來(lái)自臺(tái)積電（2330）資本支出增加的貢獻(xiàn)。

SEMI更表示，今年下半年的晶圓廠設(shè)備支出，預(yù)計(jì)將較上半年成長(zhǎng)32％，達(dá)185億美元，原因是下半年半導(dǎo)體需求成長(zhǎng)以及芯片平均售價(jià)（ASP）提升。

臺(tái)積電今年調(diào)高資本支出至100億美元，是貢獻(xiàn)這一波半導(dǎo)體設(shè)備支出的最大功臣，SEMI表示，建設(shè)支出對(duì)是否會(huì)有更多設(shè)備支出的預(yù)測(cè)來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)很好的指標(biāo)。

今年晶圓廠蓋廠支出最多的廠商除了臺(tái)積電，還有三星電子，各自約計(jì)劃花費(fèi)15至20億美元在興建廠房，而英特爾、格羅方德與聯(lián)電子則緊跟在后，也是2014年全球晶圓設(shè)備支出創(chuàng)歷史新高的原因。

除了晶圓代工產(chǎn)業(yè)外，SEMI預(yù)估存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)對(duì)晶圓廠設(shè)備資本的支出，在去年下降35%后，今年預(yù)計(jì)只有1%的成長(zhǎng)。