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[導(dǎo)讀]Quick Charge 2.0快速充電標(biāo)準(zhǔn)將風(fēng)靡行動裝置市場。高通(Qualcomm)于今年上半年發(fā)表Quick Charge 2.0快充標(biāo)準(zhǔn)后,不僅將其內(nèi)建于Snapdragon 800處理器中,同時與包爾英特(Power Integrations)、戴樂格(Dialog)及快捷

Quick Charge 2.0快速充電標(biāo)準(zhǔn)將風(fēng)靡行動裝置市場。高通(Qualcomm)于今年上半年發(fā)表Quick Charge 2.0快充標(biāo)準(zhǔn)后,不僅將其內(nèi)建于Snapdragon 800處理器中,同時與包爾英特(Power Integrations)、戴樂格(Dialog)及快捷(Fairchild)等數(shù)家電源管理積體電路(IC)商合作,推出Quick Charge 2.0充電器IC,期迅速壯大Quick Charge 2.0生態(tài)圈。

高通Summit Microelectronics產(chǎn)品管理總監(jiān)Abid Hussain指出,手機廠為提高電池續(xù)航力,除提供更大的電池容量外,更傾向于加入快速充電功能。

高通Summit Microelectronics產(chǎn)品管理總監(jiān)Abid Hussain表示,無論是智慧型手機或平板電腦等行動裝置皆開始搭載更高解析度的螢?zāi)?、多核GHz等級處理器以及長程演進計劃(LTE)功能,因而耗電量遽增,不僅須搭配較過往方案三倍大容量的鋰電池,且使用者對短時間內(nèi)快速取得可用電力的需求將較往年增加。

Hussain強調(diào),對于行動裝置使用者而言,電池續(xù)航力將成為消費者評斷產(chǎn)品好壞的重要關(guān)鍵,此外,消費者普遍認(rèn)為在急需用電的時候,讓手機保有五成至八成的電力,將比充飽電(100%)還重要許多,因此快充方案將炙手可熱。

據(jù)了解,高通于今年全球行動通訊大會(MWC)正式發(fā)表Quick Charge 2.0通訊標(biāo)準(zhǔn)。與傳統(tǒng)通用序列匯流排(USB)充電方案及Quick Charge 1.0方案相較,Quick Charge 2.0可在半小時內(nèi)為3,300毫安時(mAh)的電池充飽60%的電力,但其他兩者則分別僅能為手機提供10%及30%的電池容量。

Hussain指出,Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)最高可讓行動裝置充電時間縮短75%,并與USB充電標(biāo)準(zhǔn)--BC 1.2及Quick Charge 1.0標(biāo)準(zhǔn)相容。高通為加速提升Quick Charge 2.0市場滲透率,已將其通訊協(xié)定內(nèi)建于高通Snapdragon 800處理器中,并攜手包爾英特、戴樂格旗下iWatt及快捷等數(shù)家合作廠商推出充電器IC,以確保在2014年Quick Charge 2.0生態(tài)系統(tǒng)臻于完善。

事實上,不僅搭載高通處理器的行動裝置將可享有Quick Charge 2.0功能,其他未內(nèi)建高通處理器的行動裝置如數(shù)位相機,未來亦可藉由高通推出的獨立式(Stand-alone)充電IC新增快速充電功能。

包爾英特已于日前推出符合Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)的充電器參考設(shè)計,可與內(nèi)建高通Snapdragon 800處理器的行動裝置溝通,提供5伏特(V)、9伏特或12伏特的輸出電壓及2安培(A)的定電流,持續(xù)輸出10~24瓦(W)的電源予行動裝置;此外,針對不具備Quick Charge 2.0充電功能的行動裝置,包爾英特的充電IC將自動停用9伏特及12伏特兩種較高電壓功能,以確保充電安全并自動向下相容至行動裝置既有充電標(biāo)準(zhǔn),包括USB BC1.2及Quick Charge 1.0等。

值得一提的是,Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)將讓高通跨足行動裝置以外市場,未來該標(biāo)準(zhǔn)將進一步推出20伏特快充方案,并以3安培的定電流提供60瓦的充電功率,主要應(yīng)用于一般墻壁上的USB插座,可望提供更多家電用品快速充電功能,加速擴大Quick Charge 2.0生態(tài),為高通挹注更多行動裝置市場外的營收。

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