目前，HYNIX公司主要利用0.10微米進(jìn)行512M DDR和512M SDRAM芯片的生產(chǎn)中，在2003年下半年，公司計(jì)劃利用0.10微米進(jìn)行1G DDR2和1G SDRAM芯片的生產(chǎn)。預(yù)計(jì)在2003年，HYNIX公司20%的產(chǎn)品采用0.10微米技術(shù)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，到2004年，HYNIX公司65%的產(chǎn)品采用0.10微米技術(shù)進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

    與同類技術(shù)相比較，HYNIX這次采用的0.10微米技術(shù)將大大利用現(xiàn)有的設(shè)備，減少所需要的資金投資。與0.13微米相比較，利用0.10微米技術(shù)，可以使得每個(gè)硅片上芯片數(shù)量增加40%，從而降低芯片的成本，使得HYNIX的產(chǎn)品更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。