21ic訊 日前，Vishay宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET。

今天發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形，使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，以減少功耗并延長(zhǎng)電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開(kāi)關(guān)上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。

這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產(chǎn)品，采用超高密度技術(shù)制造，使用自對(duì)齊工藝技術(shù)，將10億個(gè)晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過(guò)MICRO FOOT的無(wú)封裝CSP技術(shù)，使器件在給定的外形面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了盡可能低的導(dǎo)通電阻。

12V Si8806DB是P溝道器件，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為43mΩ。如需要20V電壓，Si8812DB提供59mΩ的最大導(dǎo)通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉(zhuǎn)化器等高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，開(kāi)啟/關(guān)斷時(shí)間小于100ns。

20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為76mΩ，可用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導(dǎo)通電阻更低，只有54mΩ，適用于導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用。

Si8489EDB是首個(gè)1mm x 1mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V電壓下導(dǎo)通，可以搭配手持設(shè)備中常見(jiàn)的更低電壓柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓一起工作，節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。

器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定。

新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。