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[導(dǎo)讀]21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)宣布,該公司為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的大電流充電電路高速開關(guān)推出一款低電容雙N溝道MOSFET。隨著智能手機(jī)、蜂窩手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備不斷增添新功能

21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)宣布,該公司為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的大電流充電電路高速開關(guān)推出一款低電容雙N溝道MOSFET。

隨著智能手機(jī)、蜂窩手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備不斷增添新功能并對(duì)電池的要求日益提高,業(yè)界不斷通過(guò)提升充電密度及大幅提高充電電流和頻率來(lái)縮短充電時(shí)間,進(jìn)而改善用戶體驗(yàn)。東芝新款低電容產(chǎn)品“SSM6N58NU”是該公司雙N溝道MOSFET系列中的最新成員,適合用作大電流充電電路的高速開關(guān)。

應(yīng)用

用作智能手機(jī)、蜂窩手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備的大電流(高達(dá)4A)充電開關(guān)。

主要特性

1. 大電流

2. 低導(dǎo)通電阻

3. 低電容

4. 小型封裝

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