21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產(chǎn)品采用最新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK55S10N1”的導通電阻較低，搭載以最新的第八代溝道MOS工藝打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以銅連接器的“DPAK+”封裝。該產(chǎn)品主要適用于汽車應用，尤其是開關穩(wěn)壓器等需要高速開關的汽車應用。該產(chǎn)品現(xiàn)已推出樣品，并計劃于2013年4月投入量產(chǎn)。

主要特性

1. 低導通電阻(VGS=10V)

RDS(ON) = 5.5mΩ(標準值)

2. 低漏電電流IDSS=10μA(最大值)(VDS=額定電壓)

3. “DPAK+”封裝，通過利用銅連接器實現(xiàn)低導通電阻。