21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導(dǎo)通電阻(RON•A)較現(xiàn)有產(chǎn)品降低了約30%(注1)，處于業(yè)界領(lǐng)先水平。(注2)另外，高速寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間約為現(xiàn)有產(chǎn)品的三分之一(注3)，降低了損耗并有助于提高功效。

(注1) 與此前的“DTMOSIII”系列比較。東芝數(shù)據(jù)。

(注2) 截至2013年4月2日。東芝數(shù)據(jù)。

(注3) 與現(xiàn)有的“TK16A60W”產(chǎn)品比較。截至2013年4月3日。東芝數(shù)據(jù)。

應(yīng)用

開關(guān)電源，微逆變器，適配器和光伏逆變器

主要特性

1. RON•A較現(xiàn)有產(chǎn)品(DTMOSIII系列)降低了30%。

2. 高速寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間約為現(xiàn)有產(chǎn)品的三分之一。

3. 采用單外延工藝打造，確保高溫時(shí)的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時(shí)間只會(huì)小幅增加。

4. 寬廣的導(dǎo)通電阻范圍(0.65-0.074Ω)

5. 多種封裝