21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體，日前發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢。

TriQuint公司中國區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢。熊挺表示：“此項新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測試服務(wù)支持的氮化鎵工藝外，客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決最苛刻的射頻要求，能夠靈活地支持所有的客戶。”

著名的研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics預(yù)見了氮化鎵這種極具意義的增長。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部總監(jiān)Eric Higham說：“雖然國防領(lǐng)域是氮化鎵最大的營收來源，但氮化鎵在基礎(chǔ)構(gòu)架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星 (Sat-Com)、功率和有線電視(CATV)也大大飆升了氮化鎵的營收。 Strategy Analytics預(yù)測到2015年，氮化鎵微電子裝置的市場將以超過34%的復(fù)合年均增長率(CAAGR)增長大約至1.86億美元。”

TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補(bǔ)充了一個高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V，同時為DC-10 GHz應(yīng)用提供更高的擊穿電壓、更強(qiáng)的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢實現(xiàn)更堅固的設(shè)備， 可承受可能會破壞其他電路的電壓駐波比(VSWR)的不匹配，同時提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝，該款新產(chǎn)品是一個適用于基礎(chǔ)構(gòu)架的120W功率封裝晶體管，體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。

TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術(shù)推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴(kuò)大至了40 GHz，同時提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅(SiC)工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594(5W)和TGA2595(10W)Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達(dá)35%的功率附加效率(PAE)，體積與相對的砷化鎵(GaAs)解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。

TriQuint 全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988，一個可用于有線電視和光纖到戶光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的直接接入電路板式單片式微波集成電路(MMIC)放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成，在增益、復(fù)合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

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