21ic訊  意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產(chǎn)品低達(dá)40%的關(guān)機(jī)能耗，同時可降低達(dá)30%的導(dǎo)通損耗。

HB系列利用意法半導(dǎo)體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝，集電極關(guān)斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，從而最大限度降低了開關(guān)和導(dǎo)通時的能耗。此外，這項技術(shù)具有良好的可控性，參數(shù)分布窗口十分緊密，從而可提高設(shè)計再用性，簡化系統(tǒng)設(shè)計。

意法半導(dǎo)體的HB系列IGBT 可提升目標(biāo)應(yīng)用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機(jī)、不間斷電源、功率因數(shù)校正器和高頻功率轉(zhuǎn)換器。650V的寬額定工作電壓確保環(huán)境溫度在-40°C時擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區(qū)的太陽能逆變器。175°C的最大工作結(jié)溫和寬安全工作區(qū)(SOA)提高了產(chǎn)品的可靠性，準(zhǔn)許目標(biāo)應(yīng)用使用更小的散熱器。

可選參數(shù)包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關(guān)電路優(yōu)化的內(nèi)置二極管的封裝。

HB系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。