21ic訊 應(yīng)用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系統(tǒng)，這是現(xiàn)今唯一一款在邏輯芯片銅互連工藝中能夠通過化學(xué)氣相沉積實(shí)現(xiàn)鈷薄膜的系統(tǒng)。鈷薄膜在銅工藝有兩種應(yīng)用，平整襯墊(Liner)與選擇性覆蓋層(Capping Layer)，將銅互連的可靠性提高了一個(gè)數(shù)量級。這一應(yīng)用是15年來銅互連技術(shù)材料方面最顯著改變。

應(yīng)用材料公司執(zhí)行副總裁兼半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Randhir Thakur博士指出：“對于器件生產(chǎn)商來說，芯片中連接著上億個(gè)晶體管線路，連線的性能與可靠性是極其重要的。隨著摩爾定律的推進(jìn)，線路尺寸越來越小，減少影響器件工作的空隙與防止電遷移失效就顯得更加必要”。基于應(yīng)用材料公司業(yè)界領(lǐng)先的精密材料工程技術(shù)所建立的Endura Volta 系統(tǒng)，可通過提供以CVD為基礎(chǔ)的平整襯墊與選擇性覆蓋層，克服了良率極限，幫助我們的客戶將銅互連技術(shù)推進(jìn)到28納米及以下。

基于Endura Volta CVD系統(tǒng)的鈷工藝包括兩個(gè)主要的工藝步驟。第一步是沉積一層平整的薄鈷襯墊膜，相對于典型的銅互連工藝，鈷的應(yīng)用可為有限的互連區(qū)域填充銅提供更大的空間。這一步驟通過在同一平臺，超高真空下整合預(yù)清洗(Pre-clean)/ 阻擋層(, PVD Barrier)/ 鈷襯墊層(CVD Liner)/ 銅種子層(Cu Seed)制程，以改進(jìn)器件的性能與良率。

第二個(gè)步驟在銅化學(xué)機(jī)械研磨(Cu CMP)之后，沉積一層選擇性CVD 鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進(jìn)而提高器件的可靠性，可達(dá)到80倍。

應(yīng)用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sundar Ramamurthy博士指出：“應(yīng)用材料公司獨(dú)特的CVD 鈷制程是一種基于材料創(chuàng)新的解決方案。在近十年的開發(fā)中取得的這些材料與制程的創(chuàng)新，正在被我們的客戶接受并用于制造高性能移動與服務(wù)器芯片。