Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制，來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%。

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達(dá)30%。Fairchild采用工業(yè)和汽車市場中專為高/中速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的新方案，提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能水平，同時具有極強(qiáng)的閂鎖效應(yīng)，確保了優(yōu)異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應(yīng)用的測試結(jié)果和方案。

高級IHS分析師Victoria Fodale說道：“制造商對于更先進(jìn)技術(shù)的IGBT非常感興趣，因?yàn)槟呐率荌GBT開關(guān)損耗的微小下降也可幫助制造商提高產(chǎn)品效率。最大限度降低功率損耗必然是各種應(yīng)用領(lǐng)域達(dá)到最高效率的關(guān)鍵因素，包括電動汽車、太陽能系統(tǒng)、高效HVAC應(yīng)用以及工業(yè)變頻器。”

Fairchild采用先進(jìn)的高密度孔距、自平衡晶胞結(jié)構(gòu)以及新的自對齊接觸技術(shù)，在整個工作溫度范圍-40º C至175º C之間達(dá)到超高電流密度和卓越的動態(tài)開關(guān)性能。新設(shè)計使第四代IGBT具備極低的飽和電壓(Vce(sat) = ~ 1.65V)和低開關(guān)損耗(Eoff = 5µJ/A)的權(quán)衡特性，幫助客戶提高系統(tǒng)效率。Fairchild還與新一代產(chǎn)品一同提供了功能強(qiáng)大的設(shè)計和仿真基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)套件，并針對所有低/高電壓功率器件進(jìn)行了校準(zhǔn)。

Fairchild的Thomas Neyer說：“Fairchild的新方案包括通過超細(xì)單元柵距設(shè)計實(shí)現(xiàn)的超高電子注入效率以及受新緩沖器結(jié)構(gòu)限制的空穴載流子的注入。這些優(yōu)勢顯著提高性能，我們的IGBT讓Fairchild 能夠?yàn)橹圃焐烫峁┬碌母咝Т蠊β士刂平鉀Q方案。”